刘金娥
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廖燕平
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齐小薇
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高文涛
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荆海
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付国柱
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李世伟
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邵喜斌
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.014
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的.针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87～1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试.制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的MIS样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入.设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8 pF.运用7PEP生产工艺,制作了13 cm(5.2 in)的TFT阵列样品.对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10 μA,开关比为106;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341 cd/m2.
关键词:
OLED
,
阈值电压漂移
,
N/Si
,
C-V
,
2-a-Si:HTFT
邝俊峰
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付国柱
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高博
,
高文涛
,
黄金英
,
廖燕平
,
荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.06.009
采用钨丝催化化学气相沉积(Cat-CVD)方法制备多晶硅(p-Si)薄膜,研究氢气稀释率(FR(H2)/(FR(H2)+FR(SiH4))对制备多晶硅薄膜的影响.XRD和喇曼光谱分析分别显示(111)面取向的多晶硅峰及喇曼频移为520 cm-1多晶硅峰的强度随氢气稀释率的增加而增强,由喇曼光谱计算的结晶度也有同样的趋势.通过分析测试结果得出,氢原子以表面脱氢、刻蚀弱的Si-Si键,及进入晶格内部进行深度脱氢等方式改善薄膜材料的结晶度.
关键词:
多晶硅薄膜
,
氢原子
,
催化化学气相沉积
张玉
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高博
,
李世伟
,
付国柱
,
高文涛
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荆海
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.06.015
以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR(SiH4)=5 mL/min,FR(H2)=70 mL/min,P=50 Pa,L衬底与钨丝=7.5 cm,T=30 min,t衬底=300℃,特征峰在(111)面上.在接触式膜厚仪测量的基础上,计算出薄膜生长速率为0.6 nm/s.对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行刻蚀,形成不同的厚度,以便进行逐层分析.采用XRD和SEM方法对不同厚度的薄膜测试发现,随着薄膜厚度的减小,(111)面的XRD特征峰强度逐渐下降,(111)面上的晶粒尺寸基本没有变化,都是50 nm左右.根据测试结果分析了薄膜的生长机制,提出了薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长的观点.认为反应基元首先随机吸附在衬底上,在H原子的作用下在一些位置上成核,而在其他位置形成非晶相.已形成的晶核逐渐长大并沿(111)面纵向生长;已形成的非晶相也在生长,但上面不断有晶核形成.当薄膜达到一定厚度,非晶相表面完全被晶核占据,整个薄膜表面成为多晶相,此后整个薄膜处于沿(111)面的纵向生长阶段,直至反应结束,完整的晶粒结构呈柱状.
关键词:
多晶硅薄膜
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催化化学气相沉积
,
沉积参数
,
逐层分析
,
分步成核
