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溅射制备CdS薄膜及其在CdTe电池中的应用

高文敏 , 武莉莉 , 曾广根 , 王文武 , 李卫 , 张静全 , 黎兵 , 冯良桓

功能材料 doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.009

采用射频磁控溅射方法分别在石英玻璃和TCO玻璃上制备了不同厚度的CdS薄膜,研究了CdS薄膜厚度对薄膜结构和光学性质的影响.在不同厚度的CdS/TCO衬底上,进一步制备成CdTe薄膜太阳电池.结果表明,CdS薄膜厚度的增加有利于薄膜的生长与结晶;110 nm的薄膜具有禁带宽度为2.41 eV的最大值;测试电池性能,得到CdS厚度为110 nm的电池具有11.42%的最高转换效率.

关键词: 磁控溅射 , CdS薄膜 , CdS/CdTe电池

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