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横向尺寸的变化对SiGe HBT高频噪声的影响

高攀 , 张万荣 , 邱建军 , 杨经纬 , 金冬月 , 谢红云 , 张静 , 张正元 , 刘道广 , 王健安 , 徐学良

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.05.017

从发射极条宽、发射极条长、基极条数、发射极与基极间距四个方面分析了横向尺寸变化对SiGe HBT高频噪声的影响.结果表明增加发射极条长、基极条数和减小发射极与基极间距可以较为有效地减小晶体管噪声,而减小发射极与基极间距对噪声的改善效果比较显著.发射极与基极间距从1μm减小到0.5μm,2GHz工作频率下最小噪声系数可减小9dB,在0.5GHz工作频率下最小噪声系数可降至1.5dB,2GHz工作频率下最小噪声系数为3dB.

关键词: HBT , SiGe , 横向尺寸 , 高频噪声

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

高攀 , 刘熙 , 严成锋 , 忻隽 , 陈建军 , 孔海宽 , 郑燕青 , 施尔畏

人工晶体学报

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.

关键词: SiC晶体 , 原料 , 粒径 , 堆积密度

铝离子在beta沸石晶化过程中对多形体A富集的影响

鲁婷婷 , 高攀 , 徐君 , 王永睿 , 闫文付 , 于吉红 , 邓风 , 慕旭宏 , 徐如人

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(14)60300-4

以四乙基氢氧化铵为有机结构导向剂,采用超浓水热方法,从氟离子体系合成出手性多形体A(简称A形体)富集的全硅beta沸石。在同样的初始混合物中引入铝源后,所合成的beta沸石中A形体含量明显降低,产物为普通的硅铝beta沸石。用粉末X射线衍射、元素分析、热重-差热分析、氮气吸附、扫描电子显微镜和固体魔角自旋核磁共振等表征手段对全硅beta沸石和硅铝beta沸石进行了详细的表征,并研究了其晶化过程。结果表明,铝源的引入可以加速beta沸石的晶化,得到的硅铝beta沸石晶体粒径明显减小。在硅铝beta沸石的晶化过程中生成了五配位铝物种,五配位铝物种可能是导致产物中A形体含量降低的原因。

关键词: beta沸石 , 手性 , A形体 , 富集

升温程序对6H-SiC晶体生长初期籽晶石墨化的影响

刘熙 , 高攀 , 严成锋 , 孔海宽 , 忻隽 , 陈建军 , 施尔畏

人工晶体学报

本文利用有限元方法模拟不同升温程序对籽晶石墨化的影响,计算表明籽晶表面石墨化层厚度是由“倒温度差”区间的温度、持续时间和“倒温度差”绝对值综合决定.在升温程序初期可以采用较小功率阶梯加热,迅速升温节约时间;中期可以采用从现有功率线性加热至额定功率,这样使得籽晶原料“倒温度差”区间内温度值变小且减缓反应;同时还使“倒温度差”绝对值减小,抑制籽晶和原料间的输运.同时籽晶石墨化实验通过元素线扫描测量出石墨层厚度,也证实了理论计算的结果.

关键词: 碳化硅 , 生长速率 , 有限元

物理气相输运法生长AlN六方微晶柱

王华杰 , 刘学超 , 孔海宽 , 忻隽 , 高攀 , 卓世异 , 施尔畏

无机材料学报 doi:10.15541/jim20160250

采用物理气相输运法(Physical Vapor Transport,PVT),在1700 ~ 1850℃生长温度下制备出AlN六方微晶柱;晶柱长度在1 cm左右,宽度在200 ~ 400μm,光学显微镜下观察为六棱柱形状并呈透明浅黄色光泽;扫描电子显微镜和原子力显微镜测试表明:AlN晶柱表面为整齐台阶状形貌,台阶宽度为2~4μm,高度在几个纳米;拉曼光谱测试AlN晶柱具有良好结晶质量.PVT法生长AlN六方微晶柱主要是在偏低温度下AlN晶体生长速率较慢,Al原子和N原子有足够时间迁移到能量较低位置结晶生长,进而沿着〈0001〉方向形成柱状结构.AlN六方微晶柱是对一维半导体材料领域的补充,通过对晶柱尺寸及杂质控制的进一步研究,有望在微型光电器件领域表现出应用价值.

关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 氮化铝(AlN)晶体 , 六方微米柱 , 物理气相输运(PVT)

Pr-TiO2光催化剂的制备与性能研究

吴晶 , 周文芳 , 高攀 , 朱忠其 , 柳清菊

功能材料

采用溶胶-凝胶法制备了稀土元素Pr掺杂的纳米TiO2光催化剂(Pr-TiO2).通过XRD、FT-IR、UV-Vis、TEM等对Pr-TiO2样品进行了表征和分析,并以亚甲基蓝(MB)作为目标降解物,考察了不同热处理温度及不同掺杂量的Pr-TiO2对MB的光催化降解效果.结果表明,Pr掺杂纳米TiO2的晶型为锐钛矿相和金红石相的混晶相,Pr的掺入提高了TiO2光催化活性.当热处理温度为500℃,在pH值为2.5,Pr掺杂量为n(Pr):n(TiO2)=1:300的条件下制备的光催化剂的催化活性显著高于Degussa P25.

关键词: Pr掺杂 , 纳米TiO2 , 光催化

高温高压金刚石衬底上的同质外延生长研究

严垒 , 马志斌 , 曹为 , 吴超 , 高攀 , 张田田

人工晶体学报

在自主研发的小功率微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)装置上利用高温高压(HPHT)单晶金刚石片为衬底进行了金刚石同质外延生长的研究.研究了甲烷浓度、工作气压对金刚石生长速率的影响.测量了金刚石外延 生长过程中等离子体的发射光谱,利用扫描电子显微镜(SEM)和数码相机对生长前后金刚石的形貌进行了表征,利用激光拉曼光谱对金刚石的质量进行了分析.结果表明:一定程度内,适当升高工作气压和甲烷浓度能够有效提高金刚石的生长速率;在外延生长过程会产生过多的丘状体,导致许多金刚石颗粒的产生,影响其生长时间和质量,通过生长、刻蚀相结合的方法能够有效延长生长时间,改善生长形貌;外延生长出的金刚石的激光拉曼图谱中金刚石1332 cm-1特征峰明显、尖锐,荧光背底低,非金刚石相特征峰较低.

关键词: 高温高压 , 金刚石单晶 , 同质外延

Sm∶YCOB晶体生长及吸收光谱表征

涂一帆 , 涂小牛 , 熊开南 , 郑燕青 , 高攀 , 施尔畏

人工晶体学报

采用熔体提拉法生长了高质量Sm3+掺杂YCa4O(BO3)3(YCOB)晶体.通过X射线粉末衍射、高分辨X射线衍射摇摆曲线、ICP-AES、吸收光谱等对晶体的性能进行了研究.发现生长的Sm∶ YCOB晶体与YCOB晶体具有相同的结构,结晶质量较好,半高宽可达31弧秒;5at%浓度掺杂时Sm3+在YCOB晶体中分凝系数为0.773;晶体在1400~1600 nm范围内有若干较强的吸收峰.

关键词: Sm∶YCOB晶体 , 提拉法 , 吸收光谱

Ni-Fe-P合金催化制备螺旋碳纤维

史海林 , 寇开昌 , 高攀 , 卓龙海

宇航材料工艺

采用化学镀法在石墨基体表面沉积出Ni-Fe-P合金催化剂,通过SEM、XRD、EDX对合金催化剂进行分析表征.通过CVD法,以热处理后的Ni-Fe-P合金作为催化剂,噻吩为助催化剂,乙炔为碳源,反应温度为650℃条件下成功制备出螺旋碳纤维.研究发现所得产物全部为尺寸、形貌规整的双螺旋碳纤维,纤维长度达到毫米级,螺旋直径及单根纤维直径分别为2~3 μm、0.5~0.8μm.

关键词: 合金催化剂 , 化学气相沉积 , 螺旋碳纤维

喷吹循环煤气氧气高炉的静态模型

高攀 , 李强 , 张作良 , 张伟 , 邹宗树 , 干勇

材料与冶金学报

根据整体及各区域的物理化学约束条件建立了氧气高炉工艺综合数学模型.通过模型的计算结果对能量在不同区域的利用情况进行了分析3得出结论如下:氧气高炉无煤气循环流程的一次能耗很高,燃料比在600 kg/tHM以上,并且无法实现高温区和固体炉料区之间的能量匹配.炉顶煤气循环后,可以实现能量在高温区和固体炉料区的同时平衡;在同时满足全炉热平衡和区域热平衡的条件下,氧气高炉炉身喷吹循环煤气流程的理论燃烧温度过高,而炉缸喷吹循环煤气流程的理论燃烧温度偏低;对于氧气高炉炉身、炉缸同时喷吹循环煤气流程,随着循环煤气量的增大,焦比升高,煤比降低,理论燃烧温度可以维持在合理的范围内.

关键词: 炼铁 , 氧气高炉 , 物料平衡 , 热平衡 , 数学模型

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