王矜奉
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陈洪存
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王文新
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苏文斌
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臧国忠
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亓鹏
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王春明
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赵春华
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高建鲁
功能材料
烧渗银电极对压敏电阻的性能是有很大影响的.为了弄清Ag对(Co、Nb)掺杂的新型SnO2压敏材料电学性质的影响,做了组分为SnO2+1.50%CoCl2*6H2O+0.10%Nb2O5+x%Ag2O(x=0.00、0.02、0.50和1.00)的系统实验.当AgO的含量从0.00增加到1mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从349V/mm增大到429V/mm,1kHz时的相对介电常数从2240减小到1560.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是击穿电压急剧增高和介电常数迅速减小的主要原因.对Ag掺杂量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.
关键词:
氧化银
,
二氧化锡
,
势垒
,
电学非线性
明保全
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王矜奉
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陈洪存
,
苏文斌
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臧国忠
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高建鲁
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.008
研究了掺杂 CuO对 SnO2· Ni2O3· Ta2O5压敏材料电学性能的影响.实验发现,随着 CuO的 掺杂量从 0.50mol%增加到 1.50mol%,材料的压敏电场强度从 132V/mm升高到 234V/mm,相对 介电常数从 4663减小到 2701.电场强度变化的原因是 CuO掺杂引起的晶粒尺寸变化,随掺杂量 增加晶粒尺寸从 18.8μ m减小到 13.3μ m.未固溶于 SnO2晶格而偏析在晶界上的 CuO阻碍了相 邻 SnO2晶粒的融合 ,这导致了晶粒尺寸的减小.为了解释 SnO2· Ni2O3· Ta2O5· CuO电学非线性 性质的起源,本研究对前人的晶界缺陷势垒模型进行了修正.对该压敏材料进行了等效电路分析, 实验测量与等效电路分析结果相符.
关键词:
压敏材料
,
SnO2
,
电学性能
,
晶粒尺寸
,
缺陷势垒模型
王矜奉
,
陈洪存
,
赵春华
,
高建鲁
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.06.010
研究了Pb3O4对(Co,Nb)掺杂SnO2压敏材料电学性质的影响.当Pb3O4的含量从0.00增加到0.75%(摩尔分数,下同)时,(Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从426 V/mm迅速减小到160 V/mm,40 Hz时的相对介电常数从1240迅速增加到2760.这说明Pb3O4是调控SnO2压敏材料击穿电压和介电常数的敏感添加剂.晶界势垒高度测量表明,在实验范围内Pb的含量对势垒高度的影响很小.随着Pb含量的增加,SnO2的晶粒尺寸的迅速长大是击穿电压迅速减小和介电常数迅速增大的主要原因.对样品的复阻抗进行了测量,发现未掺杂Pb的样品具有最低的晶界电阻,而掺杂0.50%Pb3O4的样品具有最高的晶界电阻.提出了一个修正的缺陷势垒模型,指出了替代Sn的受主不应当处于晶界上,而应处于耗尽层的Sn的晶格位置.
关键词:
无机非金属材料
,
压敏电阻器
,
铅掺杂
,
二氧化锡
,
肖特基势垒
