莫亚娟
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王晓丹
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曾雄辉
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高崴崴
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王建峰
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徐科
人工晶体学报
采用离子注入方法制备了一系列不同Er离子剂量的GaN薄膜,并在不同温度、不同气氛下进行了退火处理.深入研究了退火温度和退火气氛对阴极荧光谱的影响机制和阴极荧光中的发光猝灭现象,获得了优化的退火条件.结果表明,当Er离子注入剂量达到1×1015cm-2时,Er离子的发光强度最高;当Er离子注入剂量达到5×1015cm-2时,出现发光猝灭现象.
关键词:
GaN薄膜
,
离子注入
,
阴极荧光谱
高崴崴
,
王晓丹
,
韩佰祥
,
莫亚娟
,
曾雄辉
,
徐科
人工晶体学报
采用溶液化学方法制备了Er3+掺杂浓度为lat％的Er∶GaN微纳米晶材料.对退火前后材料的结构、形貌和发光性能进行了表征.结果表明:Er∶ GaN微纳米晶样品为纯的六方GaN相.退火后出现晶粒长大现象,且氧含量降低,微纳米晶的结晶质量变好.退火处理后出现了Er3+相关的524 nm和547 nm的绿光峰,660 nm的红光峰.在980 nm激发下,在Yb,Er∶GaN微纳米晶样品中实现了上转换荧光发射,并观察到了和Er∶ GaN微纳米晶相同的发光峰.
关键词:
Er∶GaN
,
微纳米晶
,
发光性能
