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GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构能带的计算

高少文 , 陈意桥 , 李爱珍

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.03.002

对含有Luttinger-Kohn哈密顿量的有效质量方程,利用S.L.Chuang提出的传递矩阵法,计算了量子阱中不同Ga组分的GaxIn1-xAs/GaInAsP应变量子阱结构的能带,该结构可被选作980nm光通信泵浦激光器的有源层.研究还得到了GaxIn1-xAs/GaInAsP双应变量子阱结构中电子和空穴的能级以及能级的色散关系.

关键词: GaInAs/GaInAsP , 应变量子阱 , 色散

长波长半导体激光器波导层设计

高少文 , 曹俊诚 , 封松林

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.023

研究了一种新型的,基于金属/半导体界面等离子体激元的波导结构,从理论上对激射波长在17μm的GaAs-AlGaAs量子级联激光器的波导层设计进行了讨论,分别研究了传统的递变低折射率波导设计和等离子体激元波导设计.结果表明,利用表面等离子体激元进行波导设计,可以降低波导层厚度和提高光场限制因子,从而为长波段(如太赫兹频段)激光器提供了一种有效的波导设计方法.

关键词: 量子级联激光器 , 波导 , 表面等离子体激元

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