李树奇
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刘士国
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孔勇发
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阎文博
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刘宏德
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邓东灵
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高光宇
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李彦波
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高宏臣
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许京军
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.009
我们在同成份铌酸锂晶体中掺入四价离子铪,生长了掺杂浓度分别为2、4、6mol%的掺铪铌酸锂系列晶体.掺铪浓度达到4mol%时,晶体的抗光损伤能力为5×105W/cm2,比同成份纯铌酸锂晶体提高了4个数量级.应用全息法测得掺4、6mol%铪的铌酸锂晶体最大折射率变化为8.7×10-6,与高掺镁(6.5mol%)铌酸锂晶体的类似.晶体的红外吸收谱和紫外-可见光吸收谱也显示,掺杂浓度为4mol%时具有明显的阈值特征.由此可以确定铪离子在铌酸锂晶体中的阈值浓度约为4mol%.
关键词:
掺铪铌酸锂晶体
,
抗光折变
,
阈值
,
吸收光谱
