周勇
,
丁文
,
曹莹
,
商干兵
,
周志敏
,
高孝裕
,
余先育
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.03.004
采用MEMS技术在玻璃基片上制备了三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜,在1～40 MHz范围内研究了FeNi/Cu/FeNi多层膜中的巨磁阻抗效应特性.当磁场Ha施加在薄膜的长方向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.在频率为5MHz时,巨磁阻抗效应在磁场Ha=800 A/m时达到最大值26.6%.巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及发散有关.另外,当磁场施加在薄膜的短方向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应,在频率5 MHz、磁场Ha=9600 A/m时,巨磁阻抗效应可达-15.6%.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
三明治结构FeNi/Cu/FeNi多层膜
,
MEMS技术
陈吉安
,
张亚民
,
赵晓昱
,
周勇
,
周志敏
,
王明军
,
高孝裕
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2005.03.003
基于MEMS微细加工工艺,利用磁控溅射方法在Si基片上制备了不同Cu层宽度弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了Cu层宽度对多层膜的应力阻抗效应的影响.结果表明,弯曲型三明治结构多层膜的应力阻抗(SJ)效应随Cu层宽度的变化有明显的变化,在频率5MHz、基片自由端在y轴方向偏移的距离h为1500μm时,当Cu层宽度为0.4mm时,应力阻抗效应达-25%左右.
关键词:
应力阻抗
,
FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB
,
三明治薄膜
,
弯曲型结构
,
微细加工
张亚民
,
陈吉安
,
丁文
,
周勇
,
王明军
,
高孝裕
,
周志敏
功能材料
利用磁控溅射方法及微细加工技术制备了弯曲型三明治结构的FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB多层膜,在频率1～40MHz下研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应,结果表明弯曲型三明治结构多层膜的巨磁阻抗效应高于它的传统的多层膜.在频率10MHz、磁场11.94kA/m下巨磁阻抗效应达-50%.
关键词:
巨磁阻抗
,
FeCuNbCrSiB/Cu/FeCuNbCrSiB
,
三明治薄膜
,
弯曲型结构
,
微细加工
周勇
,
丁文
,
陈吉安
,
高孝裕
,
王明军
,
张亚民
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.006
采用磁控溅射方法在玻璃基片上制备了FeSiB/Cu/FeSiB多层膜,在100kHz～40MHz范围内研究了FeSiB薄膜厚度对FeSiB/Cu/FeSiB多层膜巨磁阻抗效应的影响.当磁场施加在薄膜的纵向时,巨磁阻抗效应随磁场的增加而增加,在某一磁场下达到最大值,然后随磁场的增加而下降到负的巨磁阻抗效应.当FeSiB薄膜的厚度为1.8μm时,在频率3.2MHz、磁场2.4kA/m时,多层膜巨磁阻抗效应达最大值13.5%;在磁场为9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-9.2%.然而,当FeSiB薄膜的厚度为1μm时,多层膜的巨磁阻抗效应在频率40MHz、磁场1.6kA/m时达最大值5.8%.另外,当磁场施加在薄膜的横向时,薄膜表现出负的巨磁阻抗效应.对于膜厚为1.8μm的FeSiB薄膜,在频率5.2MHz、磁场9.6kA/m时,巨磁阻抗效应为-12%.可见巨磁阻抗效应的最大值及负的巨磁阻抗效应与多层膜中磁各向异性轴的取向及FeSiB薄膜的厚度有关.
关键词:
巨磁阻抗效应
,
非晶FeSiB薄膜
,
FeSiB/Cu/FeSiB多层膜
,
薄膜厚度
