田珊珊
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魏志鹏
,
赵海峰
,
高娴
,
方铉
,
唐吉龙
,
楚学影
,
方芳
,
李金华
材料导报
利用原子层沉积法(ALD)在硫钝化后的n型InP表面沉积Al2 O3薄膜进行二次钝化处理.通过光致发光(PL)测试和原子力显微镜(AFM)测试对样品的光学性质及表面形貌进行表征.硫钝化能够有效降低样品的表面态密度及无辐射复合几率,因此样品PL发光强度得到了极大提高.而样品表面的Al2 O3可防止钝化层被氧化,尽管相对于沉积Al2 O3薄膜前样品的光致发光强度有所降低,但样品的稳定性得到了改善,因此可进一步提高样品的发光性能.
关键词:
InP
,
光致发光
,
硫钝化
,
表面态密度
,
Al2O3薄膜
陈芳
,
魏志鹏
,
刘国军
,
唐吉龙
,
房丹
,
方铉
,
高娴
,
赵海峰
,
王双鹏
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.23.006
半导体材料及其光电器件如激光器、探测器以及高速微波器件有着广阔的应用前景.半导体材料的结构和缺陷特性对器件性能起着至关重要的影响,然而对材料进行纳米尺度下的检测、表征无论是理论上还是技术和设备上都需要深入研究和发展,因此扫描近场光学显微技术在半导体材料表征领域有着无可替代的地位.扫描近场光学显微技术突破了传统光学显微技术的衍射分辨率极限的限制,具有超高空间分辨率、超高探测灵敏度等特点,并且是一种非接触性探测,具有无损伤性.简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理及在半导体材料研究中的应用,包括量子阱结构中的位错及缺陷的表征,半导体器件的表面复合速率及扩散长度的纳米表征,以及半导体薄膜中的缺陷分布的检测.探讨了目前相关研究领域存在的主要问题,并对其发展趋势和前景进行了展望.
关键词:
扫描近场光学显微技术
,
半导体材料
,
超高空间高分辨率
