王辰伟
,
刘玉岭
,
蔡婷
,
马锁辉
,
曹阳
,
高娇娇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.24.018
对自主研发的多羟多胺络合剂(FA/O )在硅通孔技术(Through-silicon-via,TSV)化学机械平坦化(chemical mechanical planarization,CMP)进行了应用研究。结果表明,FA/O 络合剂较其它常用络合剂在碱性CMP 条件下对铜有较高的去除速率,抛光液中不加FA/O 络合剂时,铜的去除速率仅为45.0 nm/min,少量FA/O 的加入迅速提高了铜膜去除速率,当FA/O 含量为50 mL/L时,铜去除速率趋于平缓。在TSV Cu CMP中应用表明,FA/O 对铜的去除率可高达2.8μm/min,满足微电子技术进一步发展的要求。
关键词:
络合剂
,
TSV
,
化学机械平坦化
,
抛光速率
张文倩
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
高娇娇
,
栾晓东
电镀与涂饰
在工作压力2 psi,抛光头转速55 r/min,抛光盘转速60 r/min,流量150 mL/L,温度22.7℃的条件下,采用一种不合H2O2的碱性抛光液对Cu、Ta、SiO2绝缘介质3种材料进行化学机械抛光(CMP).通过研究抛光液中SiO2磨料粒径和用量、FA/OⅡ型螯合剂和非离子型表面活性剂用量对3种材料去除速率的影响,得到了高选择性的阻挡层抛光液:SiO2粒径为50 nm的浆料20％(质量分数),FA/O Ⅱ型螯合剂0.15％(体积分数),表面活性剂3％(体积分数).该抛光液的SiO2/Ta/Cu去除速率之比为3.4∶1.6∶1.0.采用该抛光液抛光后,铜的表面粗糙度由5.18nm降至1.45 nm,碟形坑和蚀坑分别由116nm和46 nm降至42 nm和24 nm.
关键词:
铜
,
钽
,
二氧化硅绝缘介质
,
化学机械抛光
,
选择性
,
去除速率
高娇娇
,
刘玉岭
,
王辰伟
,
王胜利
,
崔晋
稀有金属
doi:10.13373/j.cnki.cjrm.2016.08.008
为了确保整个晶圆片上残余铜的去除,精抛后的过抛步骤至关重要,然而在铜过抛过程中会产生铜碟形坑和介质蚀坑等问题,去除残余铜的同时控制铜碟形坑和介质蚀坑是铜化学机械平坦化(CMP)研究的最重要的课题之一.为了解决这一问题,提出了一种铜过抛化学机械平坦化过程中基于氧化反应的平坦化效率计算方法.实验显示该方法计算结果与实验数据一致.采用碱性铜精抛液对铜光片进行抛光,获得的数据显示,增加过氧化氢浓度可以获得较低的铜去除率以及几乎为零的阻挡层去除速率.布线片CMP的结果表明,增加过氧化氢浓度可以获得较小的碟形坑.对含有不同浓度过氧化氢的抛光液进行电化学实验研究,研究结果表明在铜表面有钝化层形成.综上所述,该计算方法是计算过抛过程平坦化效率的适当方法.
关键词:
平坦化效率
,
碱性铜精抛液
,
过抛
,
过氧化氢
,
碟形坑
,
钝化层
