孙重清
,
邹德恕
,
顾晓玲
,
张剑铭
,
董立闽
,
宋颖娉
,
郭霞
,
高国
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.024
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用.制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高.通过一系列的实验对环状N电极和普通电极进行了比较,在外加正向电流为20 mA时,正向电压减小了6%,总辐射功率也略有提高,工作50小时后,总辐射功率相差8%,验证了环状N电极结构有利于器件电流扩展,减少器件串联电阻,减少了焦耳热的产生,提高了LED电光特性和可靠性.
关键词:
光电子学
,
固态照明
,
环状N电极
,
总辐射功率
,
电流扩展
李天璘
,
朱彦旭
,
徐晨
,
高国
,
沈光地
功能材料
由于ITO具有复杂的微观结构和吸收机制,很难准确测量出它的光学常数.采用变入射角光度椭偏仪(VASE)建立了一套简单的拟合模型,成功拟合出ITO光学常数在可见光范围内随波长的变化关系.并在此基础上分析了电子束蒸发法蒸发速率对ITO薄膜光学常数的影响.根据Hall效应测量了ITO在不同蒸发速率下的载流子浓度,分析了ITO光学常数随蒸发速率增加而增加的机理.
关键词:
ITO
,
椭偏仪
,
电子束蒸发法
,
蒸发速率
朱文军
,
郭霞
,
廉鹏
,
邹德恕
,
高国
,
沈光地
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.02.005
本文通过提出具有优点为微分量子效率可以大于1的一种新型多有源区隧道再生应变量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)结构,可得到阈值电流更小、输出功率更大的器件.同时,通过对这种器件功率效率的分析,总结出针对这种新型结构的以固定工作电流及串联电阻为参数的最优化DBR反射率公式,并且就功率效率与工作电流、串联电阻及反射率的关系进行了讨论,这将对器件的合理设计以及器件制备具有实质性的指导作用.
关键词:
多有源区
,
隧道再生
,
VCSELs
,
功率效率
