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热丝辅助MW ECR CVD法高速沉积优质氢化非晶硅薄膜

吴越颖 , 胡跃辉 , 阴生毅 , 荣延栋 , 王青 , 高卓 , 李瀛 , 宋雪梅 , 陈光华

功能材料

我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6~1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.

关键词: a-Si:H薄膜 , 热丝 , 光敏性 , 沉积速率

MW-ECR制备的氢化非晶硅光电特性研究

高卓 , 胡跃辉 , 朱秀红 , 马占杰 , 周怀恩 , 陈光华

功能材料

通过对热丝辅助微波电子回旋共振(HW-MW-ECRCVD)法制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜进行暗电导与温度关系的测试,可得到暗电导激活能(Ea),并研究了Ea与a-Si:H薄膜光敏性(σph/σ d)的关系;发现随着Ea的增大,费米能级位置下移,缺陷态密度减少,薄膜的光敏性变好.

关键词: 氢化非晶硅薄膜 , 暗电导激活能 , 光敏性

CIO薄膜材料制备进展

郎野 , 胡礼中 , 长贺秋 , 宁志敏 , 杜建锋 , 高卓

兵器材料科学与工程 doi:33-1331/TJ.20120302.1649.005

随着侦察及动态跟踪技术的飞跃发展和广泛应用,使战场的单向或双向透明度增大.如果不综合运用光电对抗技术,将难以对付红外、激光、雷达等侦察或制导.透明导电薄膜CIO(CdIn2O4)是一种高性能半导体材料,通过调节掺杂浓度,可实现红外波段的高反射性及可见光波段的高透过性.但由于CIO薄膜体系的复杂性和纯CIO薄膜的大面积制备尚没有完全解决,严重阻碍了它在光电对抗、红外防护等方面的实际应用.综述CIO薄膜的多种制备方法以及各自的优缺点,并着重介绍CIO薄膜在抗红外领域的应用.

关键词: CIO薄膜 , 红外 , 透光率 , 高反射

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