江彩义
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高冀芸
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郭胜惠
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杨黎
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彭金辉
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张利波
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胡途
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王仕兴
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.011.014
简要介绍了金刚石膜的物理化学特性及应用领域.对比分析了主要化学气相沉积方法的优缺点,并指出MPCVD所面临的技术瓶颈.总结了反应腔体内压强、基片温度、基体材料及增强形核技术对金刚石膜形核过程的影响.较低腔体内压力、基片温度,高碳源浓度及等离子体预处理能有效提高形核密度.阐述了各过程参数对金刚石膜生长的影响和微米、纳米、超纳米金刚石膜的技术特点及应用.指出各类金刚石膜制备所面临的技术难题,并综述了解决该技术瓶颈的最新研究工作.
关键词:
金刚石膜
,
微波等离子体
,
化学气相沉积
,
形核
,
生长
