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钛酸铋基铁电薄膜研究进展

张端明 , 杨斌 , 魏念 , 李智华 , 郑朝丹 , 吴云翼 , 郭冬云 , 王龙海 , 杨卫明 , 王耘波 , 高俊雄 , 于军

钛酸铋基铁电薄膜具有优良的铁电、介电性能,在非挥发性存储器件方面有很好的应用前景.本文分别从制备工艺、掺杂改性、疲劳特性的研究等方面综述了最新的研究进展,并对当前研究中存在的问题进行了讨论.

Ag/Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si结构铁电薄膜制备及其铁电性能的研究

利用溶胶-凝胶(sol-gel)方法,在硅基底上制备了Bi3.25La0.75Ti3O12/Bi4Ti3O12/Si铁电薄膜,其中Bi4Ti3O12作为缓冲层.用XRD方法分析了该结构铁电薄膜的物相结构;用扫描电镜对薄膜样品进行表面形貌观察;并且对该结构的铁电性能进行了研究.

关键词: 铁电薄膜 , Bi3.25La0.75Ti3O12 , Bi4Ti3O12:sol-gel法

La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3化合物铁掺杂效应的M(o)ssbauer谱研究

王耘波 , 周文利 , 魏龙 , 于军 , 高俊雄 , 曹国辉

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.05.009

利用固相反应方法制备了名义成分为La2/3Ca1/3Mn1-xFexO3(0.01≤x≤0.20)的一系列样品.在整个掺杂范围内晶体结构没有明显变化.在室温下测量了各样品的Mossbauer谱,拟合结果表明+3价高自旋态的铁离子占据锰的八面体晶位,随Fe掺杂量的增加,铁离子的3d电子出现局域化趋势,并伴随Fe-O配位体畸变程度的增强.本文对此进行了讨论.

关键词:

硅衬底Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12铁电薄膜的慢正电子束研究

王耘波 , 高俊雄 , 郭冬云 , 于军 , 魏龙

功能材料

对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化.通过对S参数和W参数的分析,讨论了这类材料中的捕获态特征和结构特点,结果表明,薄膜与硅衬底界面的缺陷为空位-氧复合体,La的掺杂有助于阻止空位-氧复合体向界面的扩散.

关键词: 慢正电子束 , 多普勒展宽谱 , Bi4Ti3O12铁电薄膜 , 缺陷

研究了热分解气氛对溶胶-凝胶法制备在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的Bi3.25La0.75Ti3O12 (BLT)薄膜铁电性能的影响.在400℃时空气或氧气气氛下热分解20min,接着在700℃时氧气气氛下退火30min.氧气气氛下的热分解能充分分解掉薄膜中的有机成分,而空气气氛下的热分解使炭、氢有机成分部分残留在薄膜中.有机成分的不完全分解影响了退火过程中BLT薄膜晶化时晶粒的生长.表现出生长取向和晶粒尺寸对BLT薄膜铁电性能的影响.氧气和空气气氛下热分解的薄膜的剩余极化(Pr)和矫顽电场(Ec)分别为18.85μC/cm2,119.7kV/cm和12.56μC/cm2、112.5kV/cm.氧气气氛下热分解的薄膜的剩余极化值显著提高.所以热分解是控制铁电性能的重要步骤.

关键词: BLT薄膜 , 溶胶-凝胶 , 热分解