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基于ZnO忆阻器的神经突触仿生电子器件

潘若冰 , 胡丽娟 , 曹鸿涛 , 竺立强 , 李俊 , 李康 , 梁凌燕 , 张洪亮 , 高俊华 , 诸葛飞

材料科学与工程学报 doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.013

本文采用ZnO忆阻器模拟了生物神经突触的记忆和学习功能.ZnO突触器件表现出典型的随时间指数衰减的突触后兴奋电流(EPSC),以及EPSC的双脉冲增强行为.在此基础上,实现了学习-遗忘-再学习的经验式学习行为,以及四种不同种类的电脉冲时刻依赖可塑性学习规则.ZnO突触器件实现了超低能耗操作,单次突触行为能耗最低为1.6pJ,表明其可以用来构筑未来的人工神经网络硬件系统,最终开发出与人脑结构类似的认知型计算机以及类人机器人.

关键词: 忆阻器 , 神经突触器件 , 人工神经网络 , ZnO

氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响

伏兵 , 诸葛飞 , 刘志敏 , 罗浩 , 梁凌燕 , 高俊华 , 曹鸿涛

材料科学与工程学报

本文研究了氩等离子体处理对ZnO薄膜阻变效应的影响,发现等离子体处理可以使薄膜表面平整,并且增加薄膜中的缺陷浓度.以等离子体处理后的ZnO薄膜作为介质层,在Pt/ZnO/Pt三明治结构中观察到无电形成过程的阻变效应.本文研究表明,氩等离子体处理是消除氧化物阻变效应电形成过程的有效手段.

关键词: 阻变 , ZnO薄膜 , 氩等离子体处理

新型耐强酸陶瓷催化转化器中铑元素的溶出方法研究

姚慧 , 张仲荣 , 高俊华

贵金属

铑在常态下难溶于王水等强酸,使用酸性溶液对耐强酸基体的车用陶瓷催化转化器中铑的完全溶出非常困难。采用微波消解法,研究了消解过程中酸的用量比例、消解温度及消解时间对铑溶出率的影响。结果表明,酸的用量比例对铑的溶出率影响不明显,溶解时间和消解温度对铑的溶出有显著影响。通过单因素试验分析,建立了一种新型耐强酸陶瓷催化转化器中铑元素的微波消解溶出方法,在消解时间为60 min,消解温度为212℃的条件下,铑的溶出率提高了25%。

关键词: 分析化学 , , 微波消解 , 催化转化器 , 耐酸性

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