欧阳柳章
,
罗承萍
,
隋贤栋
,
骆灼旋
机械工程材料
doi:10.3969/j.issn.1000-3738.2000.03.009
综合搅拌铸造法和原位反应合成制备了Al2O3增强铝基复合材料,向熔体中直接加入Al2(SO4)3粉体,由该粉体反应分解的Al2O3原位合成铝基复合材料.用此方法制备复合材料,既可节约成本,同时由Al2(SO4)3分解的SO3又可以对熔体进行精炼、除气.结果表明,Al2O3颗粒和基体结合良好,没有发现气孔、团聚、集聚、偏析,克服了传统搅拌铸造所带来的铸造缺陷.Al2O3弥散增强铝基复合材料具有良好的冲击韧性和耐磨性能.
关键词:
铝基复合材料
,
铸造工艺
,
反应合成
隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.03.002
通过利用TEM研究SiCp/Al-Si复合材料发现:SiC/Al界面结合紧密,在靠近SiC界面的Al基体中,有一层厚度小于1μm的"亚晶铝带", 它紧靠SiC表面形成, 与远离SiC的Al基体有几度的位向差;这种"亚晶铝带"在SiC/Al界面上普遍存在,其内有大量位错.
关键词:
SiCp/Al-Si复合材料
,
SiC/Al界面
,
亚晶铝带
,
位错
罗承萍
,
隋贤栋
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
金属学报
采用ＴＥＭ研究了离心铸造和挤压铸造的ＳｉＣｐ／ＺＬ１０９复合材料中ＳｉＣ／Ａｌ的晶体学位向关系. 对１２个ＳｉＣ／Ａｌ位向关系的测量结果表明, 虽然ＳｉＣ与Ａｌ之间的无固定的晶体学位向关系, 但出现了如下优先位向关系：（１１０３）ｓｉｃ〃（１１１）Ａ１, 「１１２０」ｓｉｃ〃「１１０」Ａｌ．（０００１）ｓｉｃ〃｛１１１｝Ａｌ不是优先出现的位向关系, 讨论了生成（或生不成）有关位向关系的原因.
关键词:
晶体学位向关系
,
null
,
null
欧阳柳章
,
罗承萍
,
隋贤栋
,
骆灼旋
材料工程
doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2000.04.004
对传统搅拌铸造法制备铝基复合材料的颗粒加入方式进行改进,采用直接加入Al2(SO4)3,由其反应分解产生Al2O3原位合成铝基复合材料;由Al2(SO4)3分解的SO3可以对熔体进行精炼、除气;结果表明,Al2O3颗粒和基体结合良好,没有发现气孔团聚、集聚、偏析,克服了传统搅拌铸造所带来的铸造缺陷.
关键词:
Al2(SO4)3
,
反应分解
,
铝基复合材料
,
铸造缺陷
隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.z1.037
用TEM研究了离心铸造和挤压铸造的SiCp/ZL109复合材料,发现Si优先在SiC表面上形核、长大,并形成大量"界面Si"及SiC/Si界面.SiC与Si之间不存在固定的晶体学位向关系,但存在(1101)sic//(111)si,[1120]sic∥[112]si优先出现的位向关系,而(0001)sic∥(111)si不是优先出现的位向关系.
关键词:
SiC/Si界面
,
位向关系
,
SiCp/Al-Si复合材料
隋贤栋
,
罗承萍
,
欧阳柳章
,
骆灼旋
复合材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-3851.2000.01.015
以常规TEM为工具,研究了SiCP/ZL109复合材料中数十个SiC颗粒及其界面,Si优先在SiC表面上形核、长大,形成界面Si,并形成大量SiC/Si界面.靠近SiC界面的Al基体中,普遍存在一层厚度小于1μm的"亚晶铝带",其内有大量位错.SiC与Al、SiC与Si之间虽然没有固定的晶体学位向关系,但是存在下列优先关系:(103)SiC//(111)Al,[110]SiC//[110]Al;(101)SiC//(111)Si;[110]SiC//[11]Si.
关键词:
SiCP/ZL109复合材料
,
SiC/Al界面
,
SiC/Si界面
,
晶体学位向关系
,
界面Si
,
亚晶铝带
