罗晶晶
,
范旭良
,
马荣伟
,
胡浩
,
牛振江
电镀与涂饰
在FTO(即掺杂氟的SnO2透明导电玻璃)基底上采用两步恒流电沉积,得到厚度约500 nm的金属Cu薄膜,然后置于SnO2溶胶中浸渍并经175°C加热氧化,制得由超薄SnO2修饰的Cu2O多孔薄膜。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱、扫描电镜(SEM)和漫反射–紫外可见光谱(UV-Vis DRS)表征了试样的结构、形貌及光学性质。通过在0.2 mol/L Na2SO4溶液中测试样品在可见光和零偏压下的光电流,分析了薄膜的光电化学性能。结果表明,超薄的SnO2修饰层能显著增强Cu2O多孔薄膜的光电化学性能。在SnO2溶胶中浸渍10 s所制备的超薄SnO2修饰Cu2O多孔薄膜,其光电流密度是Cu2O未修饰薄膜的4倍。
关键词:
电沉积铜
,
氧化亚铜
,
二氧化锡
,
薄膜
,
光电化学
,
光电流密度
肖仕清
,
郝丽华
,
谢萌阳
,
马荣伟
,
牛振江
电镀与涂饰
doi:10.19289/j.1004-227x.2017.09.004
通过在FeSO4溶液中将FTO(F掺杂SnO2)导电玻璃电化学阴极极化,随后在500℃空气中热氧化,制备出对可见光有响应的Fe掺杂FTO薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征了薄膜的形貌、结构和表面特性.在可见光下测试了薄膜在1.0 mol/L NaOH溶液中零偏压下的光电流-时间曲线.结果显示,电化学修饰后的FTO薄膜表面呈纳米多孔形貌,薄膜中有1%(原子分数)左右的Fe元素掺杂且存在正交结构SnO2和四方结构SnO2两种物相.Fe掺杂FTO的光电流密度为0.5 μA/cm2,比无Fe掺杂的FTO薄膜(0.019 μA/cm2)显著增强.
关键词:
氟掺杂二氧化锡
,
铁掺杂
,
阴极极化
,
可见光
,
光电流