彭增伟
,
刘保亭
,
魏大勇
,
马继奎
,
王宽冒
,
李曼
,
赵光
人工晶体学报
采用溶胶-凝胶法在Pt(111)/ Ti/ SiO2/ Si(001)基片上制备了BiFe0.95Mn0.05O3(BFMO)薄膜,并构架了Pt/ SrRuO3/ BFMO/ Pt型电容器.X射线衍射(XRD)分析发现在650℃快速退火可以得到良好结晶质量的多晶薄膜.紫光入射到薄膜表面,电滞回线发生变化,这是由于光照在薄膜内部产生的光生载流子影响了退极化场的分布.研究表明,在紫光照射下,薄膜的漏电流密度变大,电导由5.1×10-7 S增大到6.63×10-7S.通过对暗电流密度的拟合发现,BFMO薄膜为欧姆导电机制.
关键词:
光照
,
BiFe0.95Mn0.05O3薄膜
,
铁电性质
,
输运性质
马继奎
,
赵庆勋
,
彭增伟
,
陈明敬
,
史金超
,
刘保亭
人工晶体学报
采用磁控溅射的方法在SrRuO3/SrTiO3 (001)衬底上外延生长BiFeO3薄膜,研究以不同金属或氧化物做顶电极时的铁电、铁磁性质和漏电流及其导电机制.X射线衍射图谱和(φ)扫描图结果显示BiFeO3薄膜沿c轴外延生长,以Pt、Al做顶电极的薄膜剩余极化强度2Pr为68μC/cm2,生长Pt/SRO、FePt顶电极的薄膜剩余极化强度较小,2Pr为44μC/cm2,矫顽场2Ec约为370±20 kV/cm.薄膜的漏电流密度较小而且趋于饱和,在U=12 V时最大为1.94×10-3 A/cm2,体传导普尔弗兰克导电为BiFeO3薄膜主要的导电机制.BFO薄膜展现出弱磁性,饱和磁化强度为9.3 emu/cm3,矫顽场为338 Oe.
关键词:
BiFeO3
,
磁控溅射
,
铁电性
,
外延生长
马继奎
,
陈明敬
,
刘莉丽
,
闫英丽
,
张东升
,
史金超
材料导报
研究了多晶硅片表面织构化对太阳能电池电性能的影响,通过调整工艺参数得到腐蚀深度分别为2.9μm、3.8μm、4.6μm的3批样品,采用扫描电子显微镜(SEM)和光谱响应系统表征了表面形貌和反射率,分析了腐蚀深度与后续各制程的关系.对比了绒面反射率及电性能参数,确定了最佳的腐蚀深度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
反射率
,
转换效率
赵庆勋
,
魏大勇
,
王宽冒
,
马继奎
,
刘保亭
,
王英龙
人工晶体学报
采用磁控溅射法制备SrRuO3(SRO)薄膜、脉冲激光沉积法制备BiFeO3(BFO),构架了Pt/SRO/BFO/SRO/SrTiO3(001)异质结,采用X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪研究了沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.研究结果表明,随着温度的升高,BFO(001)和(002)衍射峰强度逐渐增强,BFO(110)和Bi2O3衍射峰强度逐渐减小,不同沉积温度下生长的样品都具有铁电性,在800 kV/cm的电场下,640 ℃下生长的BFO薄膜的剩余极化强度为65 μC/cm2.采用数学拟合的方法研究了Pt/SrRuO3/BiFeO3/SrRuO3/SrTiO3的漏电机理,结果表明BFO薄膜导电机理为普尔-弗兰克导电机理.
关键词:
脉冲激光沉积
,
沉积温度
,
铁酸铋薄膜
马继奎
,
陈明敬
,
王涛
,
王鹏杰
,
张东升
,
安海娇
材料导报
用化学腐蚀方法织构多晶硅片表面,通过调整制程参数获得腐蚀温度分别为12℃、17℃、22℃、29℃的4组样品,利用扫描电子显微镜(SEM)分析化学腐蚀后多晶硅片表面状态,通过反射谱的测试,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蚀温度与后续各制程参数的关系.结果表明:随着腐蚀温度的升高,绒面反射率、镀膜膜厚逐渐升高,开路电压、填充因子逐渐增大,短路电流逐渐减小,最终确定了最佳的腐蚀温度.
关键词:
多晶硅
,
酸溶液腐蚀
,
表面织构化
,
腐蚀温度
,
电性能参数
赵庆勋
,
张婷
,
马继奎
,
魏大勇
,
王宽冒
,
刘保亭
人工晶体学报
应用磁控溅射法在以SrRuO3 (SRO)薄膜为缓冲层的Pt/TiO2/SiO2/Si(001)基片上制备了多晶BiFeO3 (BFO)薄膜,构架了SRO/BFO/SRO异质结电容器.采用X射线衍射、铁电测试仪等研究沉积温度对BFO薄膜结构和性能的影响.X射线衍射图谱显示BFO薄膜为多晶结构.在2.5 kHz测试频率下,500℃生长的BFO薄膜呈现比较饱和的电滞回线,2Pr为145μC/cm2,矫顽场Ec为158 kV/cm,漏电流密度约为2.4×104 A/cm2.漏电机制研究表明,在低电场区,SRO/BFO/SRO电容器满足欧姆导电机制,在高电场区,满足普尔-弗兰克导电机理.实验发现:SRO/BFO/SRO电容器经过109翻转后仍具有良好的抗疲劳特性.
关键词:
磁控溅射
,
沉积温度
,
SrRuO3
,
BiFeO3薄膜
