徐时清
,
马红萍
,
张在宣
,
沈为民
,
姜中宏
稀有金属材料与工程
制备了一种新的Er3+/Tm3+/Yb3+共掺氧卤碲酸盐玻璃.研究了基质玻璃的热稳定性能、Raman光谱和上转换发光.发现:氧卤碲酸盐玻璃具有好的热稳定性能和低的声子能量,在980 nmLD激发下,可同时观察到明显的蓝色(476nm)、绿色(530 nm和545 nm)和红色(656 nm)上转换发光.上转换蓝光(476 nm)是由于Tm3+离子1G4→3H6跃迁,上转换的绿光(530 nm和545 nm)是由于Er3+离子2H11/2→4I15/2和4S3/2→4I15/2跃迁,上转换红光(656 nm)是由于Er3+离子4F9/2→4I15/2跃迁.
关键词:
氧卤碲酸盐玻璃
,
上转换发光
,
三维立体显示
,
稀土掺杂玻璃
徐时清
,
赵康
,
谷臣清
,
马红萍
稀有金属材料与工程
研究了以 VOSO4为前驱体,应用液相沉淀法制取VO2纳米粉的制粉技术以及 VO2粉末的晶化过程,采用 TGA, DSC, XRD,TEM等测试手段对所得粉的物理特性进行了测试分析.试验结果表明:所制取的 VO2粉末颗粒粒径介于 10 nm~30 nm之间,该粉体经 400℃真空热处理10 h可完全实现晶化,相变温度为 65℃.
关键词:
VO2粉末
,
纳米粉
,
液相沉淀法
马红萍
,
祝邦文
,
王建武
,
吴赛豪
硅酸盐通报
以硝酸铝和硅溶胶为原料,采用溶胶-凝胶法合成了纳米莫来石粉体,进而探讨了纳米莫来石对氧化铝陶瓷烧结性能、抗弯强度以及抗热震性能的影响.结果发现,在1100 ℃煅烧硝酸铝与硅溶胶先驱体时仅有少量Al2O3生成,当将煅烧温度升高到1200 ℃时,获得了单一的莫来石晶相,粉体的平均粒径在50~60 nm之间;在氧化铝中添加2wt%~10wt%的纳米莫来石,可以有效促进陶瓷体的致密烧结,并获得良好的抗弯强度与抗热震性能;纳米莫来石含量为5wt%的陶瓷,在1650 ℃烧结后的抗弯强度为247.49 MPa,经过1200 ℃热震后的抗弯强度为218.52 MPa;当纳米莫来石的添加量超过10wt%时,将降低陶瓷的饱和体积密度,并恶化陶瓷的抗弯强度与抗热震性能.
关键词:
纳米莫来石
,
溶胶-凝胶
,
氧化铝陶瓷
,
抗弯强度
,
抗热震性能
王武孝
,
袁森
,
夏明许
,
马红萍
金属学报
在对Cu2O-A1体系进行热力学分析的基础上,测试了Cu2O与Al粉末压块在不同介质温度下反应的热分析曲线,并对反应后的试样进行了X射线衍射分析.结果表明.Cu2O-Al体系反应随介质温度升高可分为3个不同阶段:第1阶段,体系温度T<910 K,有少量Al2O3和Cu生成:第2阶段.体系温度为910 K≤T<1103 K,Cu2O-Al体系未发生化学反应:第3阶段.体系温度为1103 K≤T≤1373 K,Cu2O-Al体系发生化学反应.其产物为Cu,Al2O3及CuAlO2.
关键词:
Cu2O-Al体系
,
null
,
null
徐时清
,
赵康
,
马红萍
,
谷臣清
,
姜中宏
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.011
本文采用V2O5粉和MoO3粉为原料,通过无机溶胶-凝胶法制备掺Mo6+的VO2薄膜.实验采用XRD和XPS等研究手段,对掺杂薄膜的物相组成、价态、相变温度、电阻突变量级和相变前后的光透过率进行了测试.结果发现:所制备的掺杂薄膜其主要成份是VO2,掺入的MoO3结构未发生改变,掺杂薄膜随MoO3含量的增加其相变温度明显下降,但其电阻突变量级和光透过率的突变量亦随之降低,其中,电阻突变量级的下降趋势更显著,不过只要MoO3掺杂量不高于5%时,掺杂薄膜的电阻突变仍可保持2个量级以上,而且红外光透过率的突变量仍保持较高.分析认为,薄膜中掺入的MoO3与VO2可以互溶,从而可作为施主组元降低VO2能带结构中的禁带宽度,改变其光电特性.
关键词:
VO2薄膜
,
掺杂
,
光电性能
,
无机溶胶-凝胶法
马红萍
,
邹凤楼
,
祝邦文
,
陈冰
稀有金属材料与工程
制备了一种新的Yb3+掺杂镓铅锗玻璃,测试了吸收光谱和荧光光谱,研究了基质材料的热稳定性能,计算了光谱和激光性能参数.发现Yb3+掺杂镓铅锗玻璃具有较好的热稳定性能(△T=198℃),高的受激发射截面(0.79 pm2)和长的荧光寿命(1.46 ms).与其它Yb3+掺杂基质玻璃相比,Yb3+掺杂镓铅锗玻璃具有更好地激光性能参数和激光性质,表明Yb3+掺杂镓铅锗玻璃是一种新型的Yb3+掺杂包层光纤激光器潜在的基质材料.
关键词:
Yb3+掺杂
,
镓铅锗玻璃
,
物理性质
,
光谱性质
马红萍
,
徐时清
稀有金属材料与工程
发展了一种新的VO2薄膜制备方法-V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理-涂粉-熔化成膜-真空退火-VO2薄膜.采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试.结果表明:通过该方法获得的薄膜,其主要成分是VO2,电阻突变达到4个数量级,相变温度为67.5℃.
关键词:
V2O5
,
VO2薄膜
,
电阻突变