郝晓涛
,
张德恒
,
马瑾
,
杨莺歌
,
王卿璞
,
程传福
,
田茂华
,
马洪磊
功能材料
回顾和评述了柔性衬底氧化物透明导电膜(包括锡掺杂的三氧化二ITO薄膜、铝掺杂的氧化锌AZO薄膜等)的研究进展情况.报道了在柔性衬底上制备的ITO膜、ZnO膜的光电性质对衬底种类、制备工艺以及制备参数的依赖关系,给出了在此领域内应进一步进行的工作.
关键词:
柔性衬底
,
氧化物半导体
,
透明导电膜
宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
杜伟
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
稀有金属材料与工程
将Zn粉末置于流量为500ml/min的NH3气流中,在600℃氮化120 min,制备出高质量的Zn3N2粉末.X射线衍射(XRD)表明Zn3N2粉末具有立方结构,其晶格常数为0.9788 nm.扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察发现Zn3N2粉末晶粒形状具有多样性.X射线光电子谱(XPS)表明Zn3N2的化学键状态与ZnO及金属Zn明显不同,表明N-Zn键的形成.用计算机模拟了Zn3N2晶体的立体结构,用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构,观察结果与Partin等提出的Zn3N2结构模型相符合.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
化学键状态
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
宗福建
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.薄膜的最低电阻率达到了3.9×10-4Ωcm,方块电阻～4.6Ω/□,薄膜具有良好的附着性,在可见光区的平均透过率达到90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
光电特性
宗福建
,
马洪磊
,
薛成山
,
庄惠照
,
张锡建
,
马瑾
,
计峰
,
肖洪地
,
王书运
功能材料
将Zn粉末置于流量为500mL/min的NH3气流中,在600℃氮化温度下氮化120min的条件下,制备出高质量的Zn3N2粉末.用X射线衍射(XRD)测量了Zn3N2粉末的结构,Zn3N2粉末是具有立方结构的晶体,其晶格常数a为0.9788nm.用扫描电子显微镜(SEM)观察了Zn3N2粉末的表面形貌,发现Zn3N2粉末具有非常丰富的晶粒表面形貌.用透射电子显微镜(TEM)验证了晶粒形状的多样性.用高分辨电子显微镜(HRTEM)观察了Zn3N2粉末的内部结构.用波长为325nm的He-Cd激光器为激发光源,测量了Zn3N2粉末的光致发光谱,观察到在385nm处有强的光致发光峰.
关键词:
氮化法
,
Zn3N2
,
结构
,
光致发光
张锡健
,
马洪磊
,
王卿璞
,
马瑾
,
宗福建
,
肖洪地
,
计峰
,
王翠英
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.003
用射频磁控溅射法在不同衬底上制备出了 MgxZn1- xO薄膜. X射线衍射 (XRD)和原子力显 微镜( AFM)研究结果表明,薄膜为六角纤锌矿结构,具有( 002)方向择优取向;随氧分压增加,( 002) 衍射峰的角度变大,表征薄膜表面粗糙程度的方均根粗糙度减小.室温光致发光谱中有多个紫外 及可见光致发光峰,其中 344nm发光峰应来源于近带边发射.室温透射谱表明薄膜在可见光区具 有极高的透过率,薄膜的吸收边位于 340nm附近,进而估算出 MgxZn1- xO薄膜的带隙宽度为 3.59eV, 与光致发光结果一致.
关键词:
MgxZn1- xO薄膜
,
射频磁控溅射
,
光致发光
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
马瑾
,
宗福建
,
张希键
,
计峰
,
胡文容
功能材料
在950℃氮化温度下,通过β-Ga2O3粉末与流动的NH3反应35min制备出GaN粉末.XRD、XPS、FTIR、TEM的测量结果表明:GaN粉末是六角纤锌矿结构的单晶晶粒,其晶格常数a=0.3191nm,c=0.5192nm;在粉末表面,Ga和N两种元素比约为1:1;GaN晶粒的形状为棒状.
关键词:
Ga2O3粉末
,
GaN粉末
,
氮化温度
郝晓涛
,
马瑾
,
田茂华
,
王卿璞
,
马洪磊
,
叶丽娜
,
陈峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.01.003
室温下采用射频磁控溅射法在有机薄膜-聚丙烯己二酯(polypropyleneadipate,PPA)衬底上制备出了ZnO:Al(AZO)透明导电膜.其它制备参数保持不变的条件下通过改变淀积时间得到厚度不同的薄膜,并对不同厚度AZO薄膜的结构特性、光学特性和电学特性进行了研究.
关键词:
透明导电膜
,
AZO薄膜
,
柔性衬底
马瑾
,
余旭浒
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
稀有金属材料与工程
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出了镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了真空退火对薄膜结构、电学和光学特性的影响.结果表明:真空退火后,薄膜结构得到明显改善,电阻率由退火前的1.13×10-3Ω·cm下降到5.4×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率也由未退火前的83%提高到退火后的90%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
真空退火
余旭浒
,
马瑾
,
计峰
,
王玉恒
,
张锡健
,
程传福
,
马洪磊
功能材料
采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上低温制备出镓掺杂氧化锌(ZnO:Ga)透明导电膜,研究了薄膜的结构、电学和光学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向.随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大.薄膜的最低电阻率为3.9×10-4Ω·cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上.
关键词:
磁控溅射
,
ZnO:Ga
,
薄膜厚度
,
光电性质
肖洪地
,
马洪磊
,
薛成山
,
胡文容
,
马瑾
,
宗福建
,
张锡健
稀有金属材料与工程
在950℃的氮化温度下,通过单氢氧化镓(GaO2H)粉末与流动的NH3反应35 min制备出粒状GaN微晶.通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究发现,GaN粉末是六角纤锌矿结构的粒状微晶,其晶格常数a和c分别为0.3191 nm和0.5192 nm.X射线光电子能谱(XPS)揭示试样中有Ga-N键形成,Ga与N两元素比为1∶1.
关键词:
GaO2H粉末
,
粒状GaN微晶
,
氮化温度
