冯立兵
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刘爱华
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刘玫
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马玉英
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满宝元
功能材料
采用脉冲激光沉积技术先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,然后在石英炉中热蒸发金属锌粉的方法制备了ZnO晶须.分别用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光(PL)谱对样品的结构、成分、形貌和光学特性进行了表征.结果表明,采用此方法得到的ZnO多角晶须为六方纤锌矿结构, 其根部直径大约在100～500nm之间,尖部直径大约为40nm左右,长约几个微米.Zn薄膜能够有效地促使晶核的形成与长大从而促进了ZnO晶须的形成.最后, 简单讨论了ZnO 纳米晶须的生长机制.
关键词:
ZnO
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晶须
,
X射线衍射
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光致发光
马玉英
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刘爱华
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许士才
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郭进进
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侯娟
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满宝元
材料导报
采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性.分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱.
关键词:
β-FeSi2
,
薄膜
,
PLD
,
光致发光
,
3D显微分析
马玉英
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刘爱华
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任现坤
材料保护
常用的分子束外延、粒子束沉积法难以获得均匀、致密性好的单一相β-FeSi2薄膜,利用脉冲激光沉积及热退火处理法在P型Si(100)基片上制备了均匀的单一相β-FeSi2薄膜.利用X射线衍射仪、扫描电镜、原子力显微镜及红外光谱仪研究了靶基距对β-FeSi2薄膜的结构、组分、结晶质量、表面形貌及光吸收特性的影响.结果表明:随着靶基距的增加,薄膜的晶化程度先变差后增强再变差,晶粒尺寸先减小后增大再减小,颗粒分布均匀性先变好后变差;表面粗糙度先减小后增大;靶基距为40 mm时,β-FeSi2薄膜的结晶度较高,颗粒大小均匀、趋于球形化,薄膜致密性较好,粗糙度较低,对红外光的吸收较好.
关键词:
脉冲激光沉积
,
β-FeSi2薄膜
,
靶基距
,
结晶质量
,
光吸收特性
