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不同LET C离子束对粘红酵母菌的突变效应分析

孙海宁 , 王菊芳 , 马爽 , 陆栋 , 吴鑫 , 李文建

原子核物理评论

以粘红酵母菌Rhodotorula glutinis A Y 91015为材料,研究了不同传能线密度(LET)的C离子对粘红酵母菌的失活截面和突变截面,评估了不同LET的C离子对微生物的失活效应和突变效应.结果表明,C离子LET为120.0 keV/tim时,单个粒子对粘红酵母菌的失活截面最大,为4.37 um2,接近酵母菌细胞核的平均核截面;LET为96.0 keV/μm时,单个粒子对粘红酵母菌的突变截面最大.通过对C离子束致突变能力的分析发现,C离子在LET为58.2 keV/μm时突变能力最强,这一结果显示在经C离子辐照后存活下来的粘红酵母菌中,可以引起有效突变的最佳LET为58.2 keV/μm左右,此时所对应的碳离子能量约为35 MeV/u.这些结果表明,C离子对粘红酵母菌的最佳致死效应和最佳致突变效应存在于不同的能量区域.

关键词: C离子 , 传能线密度 , 失活效应 , 突变效应 , 粘红酵母菌

低亚表面损伤的YCOB晶体超精密抛光

朱杰 , 张志萌 , 马爽

人工晶体学报

通过选择合适的研磨剂、抛光垫以及抛光材料,采用机械抛光与CMP抛光相结合的方法对应用于高激光损伤阈值的薄膜基体材料YCOB晶体进行表面加工.通过优化研磨抛光工艺后得到超光滑晶体表面,样品表面在125μm×94μm的范围内粗糙度RMS值达到0.6 nm,同时具有非常低的亚表面损伤层,经过超声清洗和有机溶剂刻蚀后,在高倍显微镜下无明显划痕.

关键词: 亚表面 , YCOB , 抛光 , CMP

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