马松山
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郭锐
,
徐慧
,
崔麦玲
材料导报
由于DNA分子在纳米电子学、分子电子学中具有广泛的潜在应用,对DNA分子中电子输运特性的研究备受关注.然而,目前对DNA分子电子输运特性的研究还未形成统一认识.阐述了DNA分子中的电子输运理论、实验研究进展.实验方面,DNA分子呈现出绝缘体、半导体、导体的各种可能结果都有报道;理论方面,主要形成了2种方法,一种是第一原理计算,另一种是基于哈密顿量模型的计算.
关键词:
DNA分子
,
电子输运
,
分子器件
肖剑荣
,
徐慧
,
李幼真
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刘雄飞
,
马松山
,
简献忠
中国有色金属学报
使用CF4和CH4为源气体,利用射频等离子体增强化学气相沉积法,制备了a-C:F:H薄膜样品.采用拉曼光谱仪、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了测试和分析.研究发现:该膜呈空间网状结构,膜内碳与氟、氢的结合主要以sp3形式存在,而sp2形式的含量相对较少;在薄膜内主要含有C-Fx(x=1,2,3)、C-C、C-H2、C-H3等以及不饱和C=C化学键;同时,薄膜中C-C-F键的含量比C-C-F2键的含量要高.在不同功率下沉积的薄膜,其化学键结构明显不同.
关键词:
a-C:F:H薄膜
,
等离子体增强化学气相沉积
,
低介电常数
,
化学键
刘小良
,
徐慧
,
马松山
,
肖剑荣
材料导报
按照一般的无序理论,在非关联一维无序材料中不存在扩展态,在绝对零度下,电子的波函数是局域的,系统表现为绝缘体.在关联无序系统中,格点能量之间的长程关联,即对角关联,能导致扩展的波函数并由此导致系统的导电性.当关联强度于某一阈值,可以发现在热力学极限之下有存在于较宽能带范围内的扩展态,此阈值即为体系的金属-绝缘体转变临界点.考虑格点之间的长程相互作用势,即非对角关联时,在一维系统中通过使用传输矩阵方法,可以获得电子态的一些本质效应,长程跳跃可以改变系统的有效维度并能导出一维体系中存在有依赖于关联强度的金属-绝缘体转变.
关键词:
无序
,
关联
,
长程跳跃
,
金属-绝缘体转变
马松山
,
徐慧
,
夏庆林
材料导报
基于密度泛函第一性原理的GGA方法计算研究了Ta2N3的能带结构、态密度、分态密度和光学性质.计算结果表明,Ta2N3具有明显的金属能带结构特征,且在费米能级附近,Ta的5d态与N的2p态杂化,Ta-N以共价键相互作用.Ta2N3的静态介电常数为77.428,静态的折射率n0为8.88,而介电函数的虚部随能量的增加而减小.Ta2N3多晶体的反射系数在0～1.65eV区域随能量的增加而逐渐减小,在1.65eV附近达极小值,此后随能量的增加而增大,但在15eV时发生陡降.Ta2N3多晶体的吸收系数数量级达105 cm-1,且在高能区对光子的吸收较少,其电子能量损失谱(EELS)的共振峰在15eV处,与此能量时反射系数的陡降相对应.
关键词:
Ta2N3
,
电子结构
,
光学性质
,
第一性原理
马松山
,
徐慧
,
夏庆林
材料导报
利用基于密度泛函第一性原理的GGA方法,计算研究了硼的高压相γ-B28的能带结构、态密度、分态密度和光学性质.计算结果表明,γ-B28具有半导体能带结构的特征,其带隙达1.619eV,且整个带结构由杂化的硼2p态和2s态组成,且2p态占主导地位.γ-B28的静态介电常数为11.0733,静态的折射率为3.328,介电函数虚部的吸收边位于1.7eV左右,同时,在2.693eV和5.232eV处有2个明显的特征峰.γ-B28的反射系数在0～16eV范围内随着能量的升高而逐渐增大,但在19.4eV时反射系数急剧下降,而吸收系数的数量级达105cm-1,其电子能量损失谱(EELS)的共振峰在19.4eV处,与反射系数的陡降相对应.
关键词:
γ-B28
,
光学性质
,
电子结构
