陈辉
,
李世男
,
张彦杰
,
高章育
,
刘丽珍
,
马兵
材料热处理学报
用加入0,0.3%,0.8%(质量分数)稀土钕(Nd)的盐浴分别对H13试样进行TD处理,使试样表面形成碳化钒(VC)渗层.通过比较加与不加稀土Nd所获得渗层,研究Nd对TD处理的影响.采用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和维氏显微硬度计对渗层的组织、物相和硬度进行测试分析.结果表明:加入Nd可以避免对H13钢处理时产生合金元素富集,合金元素聚集导致材料表面附近一区域组织粗大,影响材料性能.Nd可以提高渗层以及渗层和基体间过渡区的硬度,过渡区硬度的提高可以对高硬度层起到更好的支撑作用,利于增加渗层与基体的结合强度;Nd的浓度并非越高越好,本文中用含0.8% Nd的盐浴处理后的试样效果最好,渗层硬度可达2400 ~ 2500 HV.
关键词:
稀土Nd
,
TD处理
,
渗层组织
,
显微硬度
马兵
,
程苏丹
,
赵文俞
,
张清杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00598
设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0~0.08, ?x=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料, 并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β--Zn4Sb3基块体材料. 300~700 K内材料的电热输运特性表明, In杂质对Zn4Sb3化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低, x=0.04和0.08的Zn4Sb3-xInx的In掺杂beta-Zn4Sb3化合物700K时晶格热导率均仅为0.21 W/(m·K). 与纯β-Zn4Sb3块体材料相比, 所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大, x=0.06的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料700K时ZT值达到1.13, 提高了69%.
关键词:
热电材料
,
beta-Zn4Sb3
,
In-doping
,
electrical and thermal transport
,
null
魏巍
,
吴欣强
,
柯伟
,
徐松
,
马兵
,
胡波涛
腐蚀学报(英文)
doi:10.11903/1002.6495.2014.221
综述了国内外几种典型的变电站接地网材料的土壤腐蚀机制及研究现状,介绍了评价接地网材料耐蚀性的实验方法、接地网防腐措施及腐蚀检测技术,并给出了进一步的研究建议.
关键词:
变电站
,
接地网
,
土壤腐蚀
,
防腐措施
,
检测技术
马兵
,
程苏丹
,
赵文俞
,
张清杰
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00598
设计了一系列名义组成为Zn4Sb3-xInx(0~0.08,Δx=0.02)的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料,并用真空熔融-随炉冷却-放电等离子体烧结工艺成功制备出无裂纹的In掺杂单相β-Zn4Sb3基块体材料.300~700 K内材料的电热输运特性表明,In杂质对Zn4Sb3化合物的Sb位掺杂可导致载流子浓度和电导率大幅度增大、高温下本征激发几乎消失和晶格热导率显著降低,x=0.04和0.08的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3化合物700K时晶格热导率均仅为0.21W/(m·K).与纯β-Zn4Sb3块体材料相比,所有In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料的ZT值均显著增大,x=0.06的Zn4Sb3-xInx的In掺杂β-Zn4Sb3基块体材料700K时ZT值达到1.13,提高了69%.
关键词:
热电材料
,
β-Zn4Sb3
,
In掺杂
,
电热输运