饶瑞
,
徐重阳
,
王长安
,
赵伯芳
,
周雪梅
,
曾祥斌
功能材料
介绍了一种非晶硅薄膜低温晶化的新工艺--金属诱导非晶硅薄膜低温晶化.在非晶硅膜上蒸镀金属铝薄膜,而后于氮气保护中退火,实现了非晶硅薄膜的低温(＜600℃)晶化.利用X射线衍射、光学显微镜及透射电镜等测试方法,研究了不同退火工艺对非晶硅薄膜低温晶化的影响,确定了所制备的是多晶硅薄膜.
关键词:
金属诱导
,
非晶硅薄膜
,
低温晶化
,
多晶硅薄膜
曾祥斌
,
徐重阳
,
饶瑞
,
JOHNNY K O Sin
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.020
采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.
关键词:
NH3
,
N2O
,
表面钝化
,
p-Si TFT
饶瑞
,
徐重阳
,
孙国才
,
王长安
,
曾祥斌
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.04.019
为了满足在普通玻璃衬底上制备多晶硅薄膜晶体管有源矩阵液晶显示器,低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜已成为研究热点.本文研究了一种低温制备多晶硅薄膜的新工艺:金属诱导非晶硅薄膜低温晶化法.在非晶硅薄膜上蒸镀金属铝薄膜,并光刻形成铝膜图形,而后于氮气保护中退火.利用光学显微镜和拉曼光谱等测试方法,研究了Al诱导下非晶硅薄膜的晶化过程,结果表明,在560℃退火6h后,铝膜下的非晶硅已完全晶化,确定了所制备的是多晶硅薄膜.初步探讨了非晶硅薄膜金属诱导横向晶化机理.
关键词:
金属诱导晶化
,
低温
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
