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无机层状纳米功能材料的研究进展

刘建强 , 侯万国 , 倪鹏 , 颜世申 , 韩书华 , 李丽芳 , 马洪磊

材料导报

无机层状纳米功能材料是一类具有特殊结构和性能的新型无机二维纳米材料,它是由层状双金属氢氧化物通过插层反应得到的一类新型功能材料,其层板化学组成和尺寸可根据需要进行调整并且可以进行组装,具有广阔的应用前景.综述了无机层状纳米功能材料的研究与应用现状.

关键词: 层状双金属氢氧化物 , 插层反应 , 功能材料

氧分压对Zn 1-xCo xO 1-δ磁性半导体磁特性的调控作用

季刚 , 张云鹏 , 颜世申 , 梅良模 , 张泽

金属学报

利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn 1-x Co x O 1-δ 进行了微观表征.证明了氧含量是决定Zn 1-x Co x O 1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素. 在缺氧环境下, 薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn 1-x Co x O 1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成, 两相对薄膜宏观磁性均有贡献; 在富氧的环境下, 非晶Zn-Co-O相消失, 出现了CoO反铁磁相, 纤锌矿结构Zn 1-x Co x O 1-δ中的氧缺位大量减少, 晶粒长大到10-20 nm, 室温铁磁性逐渐减弱, 直至消失.

关键词: 室温铁磁性半导体 , oxygen partial pressure

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

袁慧敏 , 姜山 , 王文静 , 颜世申 , 萧淑琴

金属学报

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜, 对制备态样品进行了磁阻抗测量. 结果表明, 样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz; 在此频率下, 样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%. 这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能. 同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

关键词: 巨磁阻抗效应 , FeZrBNi sandwiched film , doping

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

袁慧敏 , 姜山 , 王文静 , 颜世申 , 萧淑琴

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.09.014

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量.结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18%和31%,取得最大阻抗比的频率分别为7和8 MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153%和5117%.这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能.同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系.

关键词: 巨磁阻抗效应 , FeZrBNi三层膜 , 掺杂

氧分压对Zn1-xCoxO1-δ磁性半导体磁特性的调控作用

季刚 , 张云鹏 , 颜世申 , 梅良模 , 张泽

金属学报 doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2008.11.021

利用电子显微分析技术对高Co含量的室温铁磁性半导体Zn1-xCoxO1-δ进行了微观表征,证明了氧含量是决定Zn1-xCoxO1-δ薄膜微观结构和磁性能的重要因素.在缺氧环境下,薄膜由含有大量氧缺位的纤锌矿结构的Zn1-xCoxO1-δ纳米晶(直径约5 nm)和填充其间的Zn-Co-O非晶相组成,两相对薄膜宏观磁性均有贡献;在富氧的环境下,非晶Zn-Co-O相消失,出现了CoO反铁磁相,纤锌矿结构Zn1-xCoxO1-δ中的氧缺位大量减少,晶粒长大到10-20 nm,室温铁磁性逐渐减弱,直至消失.

关键词: 室温铁磁性半导体 , 氧分压 , 氧缺位 , 调控

Co-Nb/Cr磁性多层膜的振荡耦合

娄坚鑫 , 颜世申 , 刘宜华

金属学报

Co—Nb/Cr磁性多层膜由高频溅射方法制得由振动样品磁强计测量作品的磁性能在2.67Pa溅射氩气压下,发现样品随Cr层厚度增加,铁磁层间出现铁磁性和反铁磁性的耦合振荡,饱和磁化强度Ms基本保持不变,而在0.67Pa溅射氩气压下,样品的饱和磁化强度Ms发生了振荡,这可能与其铁磁层中顺磁分量振荡变化有关.

关键词: 磁性多层膜 , ferromagnetic coupling , antiferromagnetic coupling

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