陈静
,
孙亮
,
李顺洲
,
黄建冬
,
尹正朝
,
何艾生
,
李春光
,
张雪强
,
黎红
,
罗胜
,
顾长志
,
金爱子
,
杨海方
,
冯稷
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.02.005
研制了一种结构紧凑的高温超导窄带滤波器.该滤波器中心频率为,是在以0.5mm厚的LaAO3(εr≈24)为衬底的YBCO超导薄膜上制作的.测试结果显示该滤波器具有比较好的性能,其插入损耗<0.3dB,反射损耗<-16dB,相对带宽<9‰, 带边陡度>9dB/MHz, 中心频率误差<0.05%.滤波器设计中,利用特殊技术成功地改善了过渡带上的零点特性,为今后研制新型的结构紧凑的滤波器开拓了思路.
关键词:
高温超导
,
微波应用
,
带通滤波器
孙亮
,
陈静
,
李顺洲
,
黄建冬
,
尹正朝
,
李春光
,
何艾生
,
张雪强
,
黎红
,
罗胜
,
顾长志
,
金爱子
,
杨海方
,
冯稷
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.016
研制了一种结构新颖的高温超导带阻滤波器.这种带阻滤波器的设计值为:中心频率,2.5GHz带内最大衰减65dB.而用YBCO薄膜制成的带阻滤波器实物经调谐,其中心频率与设计值相同,带内最大衰减为73dB,优于设计指标.该滤波器的主要优点是体积小、边带陡,而且可以与其他滤波器组合使用.
关键词:
高温超导
,
微波应用
,
带阻滤波器
李春光
,
张强
,
孙亮
,
孟庆端
,
王云飞
,
黄建冬
,
李翡
,
何艾生
,
黎红
,
张雪强
,
何豫生
,
顾长志
,
罗强
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.044
本文介绍一种为某专用雷达设计制作的工作于L波段的高温超导窄带带通滤波器.该滤波器为10阶微带谐振器级联(CQ)滤波器,引入两个交叉偶合构成一对传输零点形成准椭圆函数传输特性来增加带外陡度.为减小非近临谐振器间寄生耦合对滤波器传输特性的影响,对所采用的谐振器结构进行了精心选择.整个滤波器制作在一块2英寸的MgO衬底YBCO片上,封装后滤波器的整体尺寸为60mm×30mm×18mm.滤波器带宽为5MHz(FBW小于0.4%).实测滤波器带边陡度超过100dB/MHz,在中心频率(3MHz以外频域抑制好于-60dB,滤波器宽带抑制好于-80dB,滤波器最小插损0.3dB.
关键词:
高温超导
,
窄带滤波器
,
微波应用
张强
,
孟庆端
,
黄建冬
,
孙亮
,
李翡
,
黎红
,
何艾生
,
张雪强
,
顾长志
,
罗强
,
李春光
,
何豫生
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.03.018
研制了一种适用于3G移动通讯基站接收机的高温超导窄带带通滤波器.其中心频率为1949.85兆赫兹,带宽为9.7兆赫兹.为了实现极高性能,理论设计了12阶准椭圆(quasi-elliptic)函数型滤波器,引入了3对传输零点.滤波器的计算机仿真是用Sonnet软件完成的.此滤波器是在直径为2英寸、厚度约为0.5毫米的氧化镁双面超导薄膜上制作的.实测表明,达到了极高的性能要求:相对带宽0.49%,带边陡度>150dB/MHZ,带外抑制>60dB,插入损耗<0.2dB,反射损耗<-14dB.
关键词:
高温超导
,
窄带滤波器
,
移动通讯
王跃辉
,
张雪强
,
何晓锋
,
高路
,
于涛
,
张强
,
黎红
,
李春光
,
顾长志
,
李俊杰
,
李无瑕
,
何豫生
低温物理学报
本文中,我们介绍一个中心频率大约为2.015GHz,相对带宽小于0.35%,通带内回波损耗大于20dB,带外零点高度大约为-45dB,通带内插损小于0.2dB的窄带四阶双模片型高温超导滤波器.我们对该滤波器在不同输入功率下的传输特性曲线进行了测试,测试结果表明,在输入微波信号功率值为11.7W的情况下,该器件的传输特性曲线没有发生显著退化.
关键词:
高温超导
,
大功率滤波器
,
窄带
陈媚媚
,
郑陶雷
,
王宗利
,
李俊杰
,
顾长志
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.006
利用热蒸发法在硅衬底上合成了二氧化锡纳米梭阵列,并研究其场致电子发射特性.研究结果表明,所合成的二氧化锡纳米梭是一种新型的纳米结构,可以通过反应时间的不同得到不同密度的二氧化锡纳米梭阵列,从而实现可控生长.在研究场致电子发射方面,我们发现所合成的二氧化锡纳米梭阵列有优良的场发射性能,开启电场为1.4 V/μm,对应的发射电流密度为10 μA/cm2;当电场强度为7.4 V/μm时,发射电流密度高达2.48 mA/cm2.这是由于二氧化锡纳米梭结构有很小的尖端曲率半径以及所测量样品中二氧化锡纳米梭阵列分布比较均匀造成的.测量结果发现在F-N曲线上呈现两个线性段,我们认为这是由于在不同的电场下,发射电流由不同高度的梭形结构引起的,不同高度的梭形结构由于长径比不同因而具有不同的场增强因子,从而导致在F-N曲线上表现为两个线性段.
关键词:
场发射
,
二氧化锡纳米梭阵列
,
热蒸发