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纳米ATO粉体的制备及性能研究

张建荣 , 顾达 , 高濂 , 杨云霞

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2003.04.001

采用非均相成核法制备了粒径为数十纳米的ATO导电粉体,运用XRD,TEM,粉体表面zeta电位测定等手段对粉体进行了表征.结果表明:粉体均为四方金红石结构,粒径在20nm左右.前驱体的等电点在pH=1～2之间,适当调整反应pH值,可制得分散均匀的纳米粉体.

关键词: ATO , 纳米粉体 , 掺杂 , 团聚

湿化学法制备纳米ATO导电粉

张建荣 , 顾达 , 杨云霞

功能材料

采用非均相成核法,在Sn(OH)4晶种上均匀生长Sb掺杂Sn(OH)4,制备纳米ATO粉末.以电阻测定系统研究了合成条件如掺杂浓度、反应温度、pH值、SnCl4浓度等对最终粉末电阻性能的影响.以TG-DSC热分析、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程,XRD显示为四方金红石型结构,平均粒径为15nm.当Sb/Sn(mol比)=0.05,pH=2,T=60℃,SnCl4=1.2～1.8mol@L-1时,粉体电阻小于0.5Ω.

关键词: 二氧化锡 , 纳米粉体 , 掺杂

络合法合成Sb掺杂SnO₂(ATO)纳米粉体

张建荣 , 高濂 , 顾达

无机材料学报

采用非均相成核法,在晶种上以络合法均匀生长Sn,Sb混合金属氢氧化物,合成了纳米ATO导电粉体。以粉体电阻、粉体粒径为指标进行实验,得到了最佳络合剂。系统研究了合成条件如掺杂浓度,反应温度、pH值、配体/Sb比等对最终粉体导电性能的影响。以TG-DTA、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程。结果表明粉体为四方金红石型结构,平均粒径为10nm左右,粉体的团聚很少。

关键词: ATO , nanoparticle , complex

络合法合成Sb掺杂SnO2(ATO)纳米粉体

张建荣 , 高濂 , 顾达

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2003.04.035

采用非均相成核法,在晶种上以络合法均匀生长Sn,Sb混合金属氢氧化物,合成了纳米ATO导电粉体.以粉体电阻、粉体粒径为指标进行实验,得到了最佳络合剂.系统研究了合成条件如掺杂浓度,反应温度、pH值、配体/Sb比等对最终粉体导电性能的影响.以TG-DTA、XRD、TEM等手段研究了晶粒生长过程.结果表明粉体为四方金红石型结构,平均粒径为10 nm左右,粉体的团聚很少.

关键词: ATO , 纳米粉体 , 络合物

Sb掺杂SnO2纳米粉体的结晶行为和电学性能

张建荣 , 顾达 , 杨云霞

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.010

采用非均相成核法制备了Sb掺杂的SnO2(ATO)纳米粉体. 研究了粉体电学性能、粒径、晶胞参数随Sb掺杂量的变化关系及粉体电学性能、粒径随煅烧温度的变化关系. 应用非晶物质晶化晶核生长速率方程计算了晶粒生长活化能. 结果表明,晶粒生长分为2个阶段 ,其活化能分别为21.94和4.52 kJ/mol.

关键词: SnO2 , 掺锑 , 纳米粉体 , 结晶行为 , 电学性能

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