门保全
,
郑海务
,
张大蔚
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
ZnO是一种纤锌矿结构的第三代宽带隙半导体材料,在光电和铁电器件领域具有优良的应用前景.本文综述了近年来ZnO材料在制备与诸如压电、铁电、介电与多铁等物理性质方面的研究进展,指出了ZnO在铁电、介电与多铁性质研究方面中存在的问题,并提出解决的思路.
关键词:
ZnO
,
铁电
,
压电
,
介电
,
多铁
郑海务
,
苏剑峰
,
王科范
,
李银丽
,
顾玉宗
,
傅竹西
功能材料
在Si(111)衬底上,采用SiH4-C3H8-H2气体反应体系,通过低压化学气相沉积(LPCVD)工艺外延出结晶质量良好的SiC薄膜.低温光致发光谱表明该薄膜属于6H-SiC多型体.X射线衍射图表明该薄膜具有高度的择优取向性.扫描电子显微镜图表明该薄膜由片状SiC晶粒组成.拉曼光谱和透射电子衍射谱的结果进一步表明该薄膜具有较高的结晶质量.对Si(111)衬底上6H-SiC薄膜的生长机制进行了初步探讨.
关键词:
Si
,
6H-SiC
,
化学气相沉积
,
微结构
刘越峰
,
郑海务
,
张伟风
,
顾玉宗
,
李银丽
,
张华荣
功能材料
采用水热法成功合成了YMnO3纳米棒,利用XRD、SEM、EDS、HRTEM和SAED对产物进行了表征.实验结果表明,产物为六方纯相YMnO3纳米棒,高分辨电镜图片显示晶面间距为0.298nm,对应(004)面间距,结合XRD及选区电子衍射结果,可以得出纳米棒沿[001]方向生长,并初步分析了纳米棒的形成机理.测试了YMnO3纳米棒的M-T曲线,观察到了由表面未补偿自旋引起的自旋玻璃态.
关键词:
YMnO3
,
纳米棒
,
水热法
,
微结构
,
磁性
刘越峰
,
郑海务
,
马兴平
,
王超
,
张华荣
,
顾玉宗
材料导报
采用化学溶液法在Si(111)衬底上制备了YMnO3薄膜.XRD结果表明,所制备的薄膜为六方纯相YMnO3,且具有部分择优取向生长.以Pt为顶电极,测试了YMnO3薄膜的电滞回线,结果表明,所制备的YMnO3薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
Si(111)
,
择优生长
,
电滞回线
赵希磊
,
王科范
,
张伟风
,
顾玉宗
材料导报
Sn量子点可用于制作单电子器件、高密度存储单元、红外探测器以及发射器等,具有重要的研究意义.介绍了离子注入、分子束外延、磁控溅射和固相外延等各种制备Sn量子点的生长技术,综述了Sn量子点的光学性质、电学性质以及理论计算研究结果,指出了Sn量子点研究面临的关键问题以及研究方向.
关键词:
Sn量子点
,
生长技术
,
光学性质
,
电学性质
,
理论计算
刘越峰
,
郑海务
,
张华荣
,
王超
,
马兴平
,
顾玉宗
硅酸盐通报
采用化学溶液法在 SiC/Si 上制备了YMnO3 薄膜.XRD 结果显示所制备的薄膜为六方YMnO3,且具有部分择优取向生长.拉曼光谱和XPS的结果验证了样品为六方纯相YMnO3.以 Pt 为顶电极,测试了 YMnO3 薄膜的电滞回线,结果显示YMnO3 薄膜具有良好的铁电性质.
关键词:
六方YMnO3
,
薄膜
,
SiC/Si
,
电滞回线
郑海务
,
苏剑峰
,
顾玉宗
,
张杨
,
傅竹西
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2008.01.006
采用低压化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上异质外延生长出高结晶质量和良好表面形貌的6H-SiC薄膜,研究了CsHs气体流速对薄膜结晶质量的影响.随着C3Hs气体流速的降低,薄膜的结晶质量先增加后降低,表明薄膜的生长在开始阶段受表面反应控制,而后受质量输运控制.所得到的结晶质量最好的6H-SiC薄膜,其摇摆曲线半高宽为0.6°,已经达到单晶水平.没有使用A1N过渡层,制备出结晶质量更好的SiC薄膜,表明对于蓝宝石衬底上SiC薄膜的生长,起决定性因素的是温度,过渡层不是影响SiC薄膜结晶质量的主要因素.
关键词:
无机非金属材料
,
6H-SiC薄膜
,
低压CVD
,
蓝宝石
,
微结构
聂洋洲
,
杨国华
,
顾玉宗
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.03.013
采用普通直流电沉积和超声直流电沉积制备Cu/TiO2纳米管阵列/Ti基复合薄膜,而后在NaOH溶液中用电氧化的方法将Cu单质氧化成CuO,制备了CuO/TiO2纳米管阵列/Ti基复合薄膜.利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对两种复合薄膜电极的形貌和结构进行了表征,详细考察了电镀工艺参数(电流密度)和超声波对复合薄膜形貌的影响.同时通过稳态光电响应技术对复合薄膜电极组成的染料敏华太阳能电池(DSSC)的光电性能进行了研究,结果表明:通过普通直流电沉积在工艺参数(3 mA/cm2、5min)处制备的复合薄膜组装的DSSC具有该体系下的最佳光电性能(Jsc=9.00mA/cm2、Voc=0.664V、FF =0.512、η=3.06％);在同等条件下通过超声辅助直流电沉积制备的复合薄膜组装的DSSC的最佳光电性能(Jse=15.50mA/cm2、Woc =0.688V、FF=0.505、η=5.39％)出现在工艺参数为(6mA/cm2、5min)处.对比可知超声条件下的光电性能较好,且最佳光电性能工艺参数发生了后移.
关键词:
CuO/TiO2纳米管阵列/Ti基复合薄膜
,
超声辅助
,
工艺参数
,
染料敏化太阳能电池
