陈扬文
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江素华
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刘丽蓓
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邵丙铣
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顾志光
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戎瑞芬
,
汪荣昌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.004
采用SiO为起始原料、Ar为载气,蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下,成功地合成了超长的单晶硅纳米线;以SiO和P2O5混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂;借助电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)分析了硅纳米线P掺杂效果;利用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射仪(XDR)等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征,测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径,但其长度随着温度的升高而变长,在1180℃的生长区域,硅纳米线的长度达到了150ìm;硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除.
关键词:
超长硅纳米线
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热蒸发
,
掺杂
汪荣昌
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顾志光
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戎瑞芬
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李勇
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邵丙铣
,
宗祥福
功能材料
现代IT产业的发展催生了蓝牙技术的发展.而蓝牙技术的发展迫切需要发展高性能三维功能衬底技术.AlN陶瓷具有优良的综合性能.研究了AIN流延坯和Ag导体浆料的低温共烧技术,比较了在AlN成瓷基板上的各种金属化工艺.
关键词:
AlN
,
LTCC
,
蓝牙
