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用离子注入的方法实现InGaAs/InGaAsP激光器材料的量子阱混合

刘超 , 李国辉 , 韩德俊

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.025

为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合,选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm-2的P+离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器结构,在700oC下快速热退火90s.发现光致发光谱的峰值位置发生蓝移9～89nm.蓝移的大小随着注入能量和剂量的增大而增大,并且能量比剂量对蓝移的影响更大.

关键词: 量子阱混合 , 波长蓝移 , InGaAs/InGaAsP , 光致发光谱