裴小科
,
林碧洲
,
张进飞
,
韩国华
,
李真
无机材料学报
采用取代反应获得了具有Keggin结构的聚合羟基铁铝离子,并通过单分子层技术将聚合羟基离子嵌入到二硫化钼的层间,制得了层间距1.394至1.513nm的柱撑二硫化钼复合材料.研究表明,随着Fe/Al比的增加,层间距逐渐下降,颗粒度逐渐增大,比表面积逐渐降低.催化实验表明,柱撑材料将S2-催化氧化为S2O32-,其催化活性是2H-MoS2的4～5倍, 且光催化活性大于催化活性.这与材料比表面积增加所导致催化活性部位的增多,以及光致电子-空穴对的产生有关.
关键词:
二硫化钼
,
hydroxy-Fe-Al
,
sulfide
,
catalytic oxidation
韩国华
,
靳晓雄
,
Joris Degrieck
,
Wim Van Paepegem
,
侯艳芳
材料导报
研究了压电材料复合板的3种作动机制,弯曲作动机制、剪切作动机制、混合作动机制,针对粘贴在纤维板上不同厚度的压电作动层,具体分析了复合板的端部位移,研究结果对噪声和振动的主动控制中的模态控制和智能结构静态形状控制提供了一定的参考.
关键词:
作动机制
,
主动控制
,
压电作动
,
端部位移
孙福星
,
王铁艳
,
袁琴
,
韩国华
,
耿宝利
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.04.025
SiCl4作为生产光纤预制棒的基础原料, 其质量好坏直接影响光纤传输的质量, 必须最大限度脱除引起光纤吸收损耗的杂质.综述了光纤用SiCl4的质量标准, 并应用傅立叶变换红外光谱(FT-IR)技术对国内外光纤用高纯SiCl4样品进行了对比.测试结果表明, 本工艺产品含氢杂质含量明显降低, 同时金属离子含量也达到相关技术要求, 达到光纤级别, 为建立工业化光纤用高纯SiCl4生产线提供了理论基础和技术参数.
关键词:
SiCl4
,
光纤
,
提纯
,
工艺
裴小科
,
林碧洲
,
张进飞
,
韩国华
,
李真
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.009
采用取代反应获得了具有Keggin结构的聚合羟基铁铝离子,并通过单分子层技术将聚合羟基离子嵌入到二硫化钼的层间,制得了层间距1.394至1.513nm的柱撑二硫化钼复合材料.研究表明,随着Fe/Al比的增加,层间距逐渐下降,颗粒度逐渐增大,比表面积逐渐降低.催化实验表明,柱撑材料将S2-催化氧化为S2O32-,其催化活性是2H-MoS2的4～5倍,且光催化活性大于催化活性.这与材料比表面积增加所导致催化活性部位的增多,以及光致电子-空穴对的产生有关.
关键词:
二硫化钼
,
羟基铁铝
,
硫化物
,
催化氧化
