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溶液插层法制备聚乳酸/氧化锌柱撑皂石纳米复合材料及性能表征

李进 , 甄卫军 , 申丹 , 韩卫

高分子材料科学与工程

通过微波水解法制备了氧化锌(ZnO)柱撑皂石,并以其为助剂,利用溶液插层法制备了聚乳酸(PLA)/ZnO柱撑皂石纳米复合材料.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)对ZnO柱撑皂石及PLA/ZnO柱撑皂石纳米复合材料的结构进行了表征,并对其力学性能和热稳定性能进行了测试.微观结构分析表明,ZnO柱撑皂石呈剥离状,并均匀分散在PLA基质中.力学性能研究表明,加入PLA基质质量0.3%的ZnO柱撑皂石有助于改善PLA复合材料的拉伸强度.DSC结果显示,加入ZnO柱撑皂石后,PLA的结晶度从21.2%增加到40.9%,说明纳米ZnO柱撑皂石可以消除PLA复合材料冷结晶,有助于提高PLA复合材料的结晶度,与XRD分析相吻合;热重分析显示,加入ZnO柱撑皂石后,PLA复合材料的热分解温度从353.3℃升高到360.35℃,表明ZnO柱撑皂石可以提高PLA复合材料的热稳定性.

关键词: 溶液插层 , 聚乳酸 , ZnO柱撑皂石 , 性能

InGaAs/InP中离子注入和新型HPT

李国辉 , 杨茹 , 于民 , 曾一平 , 韩卫

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.031

InGaAs/InP是制作光电器件与微波器件的重要材料.离子注入InGaAs/InP做掺杂或制作高阻层是人们十分关注的研究课题.采用Fe+注入InGaAs/InP得到了电阻率升高的好结果.用Be+注入制作了新结构HPT的基区.研制成功了在1.55μm波长工作的InGaAs/InP新结构光电晶体管,在0.3μW入射光条件下,光电增益为350.

关键词: InGaAs/Inp , 离子注入 , 新结构HPT

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