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复合添加La2O3/MgO对(Zr0.8 Sn0.2)TiO4陶瓷性能的影响

陈飞 , 周洪庆 , 戴斌 , 韦鹏飞 , 朱海奎 , 刘敏

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.05.012

讨论了复合添加La2O3/MgO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4介质陶瓷烧结机制和微波介电性能的影响.结果表明,La2O3/MgO对(Zr0.8Sn0.2)TiO4的烧结有一定的促进作用,但La2O3/MgO添加量的增大会造成晶格缺陷和残留气孔的增多,从而导致材料的密度和Q×f降低.在1320℃保温12h、La2O3/MgO添加量为0.9wt%时,(Zr0.8Sn0.2)TiO4介电性能最好,其εr=37.14,Q×f=36600,τf=7.77×10-6/℃.

关键词: (Zr0.8Sn0.2)TiO4 , 复合添加La2O3/MgO , 烧结机制 , 介电性能

钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷致密化过程及介电性能

方亮 , 周洪庆 , 韦鹏飞 , 朱海奎 , 刘明

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.011

通过DSC、XRD、SEM、EDS等测试手段,研究了钙铝硼硅/氧化铝系玻璃-陶瓷一个典型组成的致密化过程,并讨论了在这过程中物相、微观结构以及介电性能的变化规律.研究结果表明:在800~900℃烧成范围内,材料先致密化后析晶;825℃时,材料已烧结致密化,介电常数达到其最大值;850℃时,玻璃中析出钙长石晶体,介电损耗大幅下降;随着温度的进一步提高,材料结构变得松散,介电损耗略有增大.1MHz下,850℃所烧试样介电常数为7.9,介电损耗小于1×10-3,是一种性能优良的LTCC材料.

关键词: 玻璃-陶瓷 , 致密化 , 析晶 , LTCC材料

(Zr, Sn)TiO_4薄膜的制备及电性能研究进展

陈飞 , 周洪庆 , 朱海奎 , 韦鹏飞 , 陈栋 , 刘敏

硅酸盐通报

从对薄膜材料不断增长的性能要求出发,介绍了(Zr, Sn)TiO_4薄膜的晶体结构特征,主要阐述了其已有的制备工艺及电性能的研究进展.提出(Zr, Sn)TiO_4薄膜的制备方法将得到拓展和改进,指出了其今后的研究方向.

关键词: (Zr,Sn)TiO_4薄膜 , 晶体结构 , 制备 , 性能

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