韦金明
,
张飞鹏
,
张久兴
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2014.03.019
采用平面波超软赝势密度泛函理论计算方法研究了p型Cu掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的电子结构,在此基础上分析了其电输运性能.计算结果表明, Cu掺杂ZnO氧化物具有0.6 eV的直接带隙,且为p型半导体,在导带和价带中都出现了由Cu电子能级形成的能带,体系费米能级附近的能带主要由Cu p态、Cu d态和Op态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运性能分析结果表明,Cu掺杂的ZnO氧化物价带中的载流子有效质量较大,导带中的载流子有效质量较小;其载流子输运主要由Cu p态、Cu d态、Op态电子完成,且需要载流子(空穴和电子)跃迁的能隙宽度较未掺杂的ZnO氧化物减小.
关键词:
材料
,
ZnO氧化物
,
Cu掺杂
,
电子结构
,
电输运性能
