韦海成
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142902.0207
针对等离子体显示器维持期气体放电过程引起的PDP残像,研究了持续气体放电过程对残像可恢复性的影响以及相同放电条件下显示单元三基色亮度变化情况,分析了气体放电过程与PDP残像形成之间的关系,提出了通过调整PDP显示过程中工作气体的放电强度,补偿气体放电过程引起亮度差异的方法来减轻显示残像,改善残像对显示画质影响的方法.实验结果表明,该方法能够减少残像产生后的恢复时间,改善显示残像,提高显示图像画质.
关键词:
等离子显示器
,
运动检测
,
残像
韦海成
,
许亚杰
,
肖明霞
,
吉文欣
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20173206.0467
为了研究MgO晶体和二次电子发射效率间的关系,分析了直接沉淀镁盐法生成Mg(OH)2以及三段式温度煅烧Mg(OH)2制备MgO晶体的过程,并使用扫描电镜和XRD对制成的MgO晶体进行了表征.在此基础上,采用第一性原理对MgO晶体的能带结构和态密度进行了计算,分析了晶体表面的结晶取向对MgO二次电子发射系数的影响.实验结果表明,本方法制备的MgO为立方晶体,且晶粒尺寸均匀分布在40.65 nm附近,晶面取向为(200)、(111)、(220),并沿(200)取向择优生长.常见的(110)、(100)和(111)三种晶面取向中,表面(110)取向的MgO晶体禁带宽度最低,材料表面的二次电子发射系数相对较高.
关键词:
MgO晶体
,
二次电子发射系数
,
第一性原理
,
直接沉淀法
韦海成
,
李海燕
,
张秀霞
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163103.0265
采用电子束蒸镀工艺制备氧化钙掺杂氧化镁复合介质保护膜并深入分析了制备温度对该复合保护膜透过率及二次电子发射效率的影响.实验表明,高温制备能够使复合薄膜表面形貌更为致密,结晶粒径增加,薄膜的透过率和发光效率提高.当制备温度为300℃时,复合薄膜的形貌更为致密平整,裕度从25 V增加到32 V,发光效率从1.70 lm/W提高到1.91 lm/W,提高了12.35％.
关键词:
氧化镁
,
介质保护膜
,
二次电子发射
