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衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响

孙小虎 , 雷青松 , 曾祥斌 , 薛俊明 , 鞠洪超 , 陈阳洋

人工晶体学报

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能.结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响.在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω·cm.平均透过率为85%的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜.对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极.

关键词: MOCVD , 绒面ZnO薄膜 , 衬底温度 , 太阳电池

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