冯团辉
,
卢景霄
,
张宇翔
,
郜小勇
,
杨仕娥
,
李瑞
,
靳锐敏
,
王海燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.034
为了制备优质的多晶硅薄膜,该论文研究了非晶硅薄膜的快速热退火(RTA)技术.先利用PECVD设备沉积非晶硅薄膜,然后把其放入快速热退火炉中进行退火.退火前后的薄膜利用X射线衍射(XRD)仪、Raman光谱仪及扫描电子显微镜(SEM)测试其晶体结构及表面形貌,利用电导率测试设备测试其暗电导率.研究表明退火温度、退火时间以及沉积时的衬底温度对非晶硅薄膜的晶化都有很大的影响.
关键词:
快速热退火
,
非晶硅薄膜
,
多晶硅薄膜
,
晶粒尺寸
,
暗电导率
张丽伟
,
卢景霄
,
李瑞
,
冯团辉
,
靳锐敏
,
张宇翔
,
李维强
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.05.037
本文先从理论角度说明了薄膜结构性能变化中存在"温度临界点",然后借助于XRD、Raman等测试仪器研究分析了Si薄膜、AZO薄膜在晶化过程、晶粒长大过程以及性能突变中的"温度临界点".结果显示:薄膜结构性能变化中确实存在"温度临界点";在"温度临界点"前后薄膜结构性能的变化规律曲线出现拐点.进而推论:薄膜的结构性能在随温度变化中"温度临界点"可能不止一个.
关键词:
温度临界点
,
薄膜结构
,
X射线衍射
,
拉曼光谱
靳锐敏
,
卢景霄
,
王海燕
,
张丽伟
,
王生钊
,
刘萍
,
王红娟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.039
为研究传统炉子退火与光退火固相晶化的不同特点,用石英玻璃作衬底,在室温、350℃和450℃下用PECVD法直接沉积非晶硅(a-Si:H)薄膜,把沉积的样品分别在850℃下用传统炉子退火3h、用光快速热处理(RTP)5min,然后用Raman、XRD和SEM分析对比,发现传统炉子退火后的晶粒分布不均匀,光退火后的晶粒分布均匀.XRD分析发现两种方法晶粒尺寸均为30nm左右.
关键词:
PECVD法
,
非晶硅薄膜
,
传统退火炉子
,
光退火
,
晶粒大小
,
拉曼光谱
,
XRD
,
SEM
