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Xe+离子注入对单晶YSZ光学性能影响的研究

向霞 , 祖小涛 , 王治国 , 朱莎 , 曾光廷 , 霍永忠 , 王鲁闵

功能材料

单晶YSZ(ytttia-stabilized cubic zirconia)在注入能量为200keV的Xe+离子后由无色透明变成紫色透明,吸收光谱测试表明,当注量达到1×1016cm-2时,开始出现吸收峰,并且吸收强度随注量增加而增大.对注量为1×1016cm-2和1×1017cm-2的样品,吸收带峰值分别位于522nm和497nm.吸收带可能与氧空位捕获电子形成的F型色心和氧离子捕获空位形成的V型色心有关.注入注量为1×1016cm-2样品的荧光测试表明,荧光光谱均为400~600nm范围内的宽发射带.注入注量为1×1017cm-2的样品没有荧光现象产生,可能是由于辐照损伤严重,缺陷浓度增大所致.

关键词: 单晶YSZ , Xe+离子注入 , 吸收光谱 , 荧光光谱

电子辐照影响TiNi形状记忆合金R相变的研究

祖小涛 , 林理彬 , 卢铁城 , 封向东 , 王治国 , 霍永忠

功能材料

用能量为1.7MeV不同注量的电子辐照了TiNi形状记忆合金,通过温度控制使辐照在合金的R相状态进行,发现辐照使合金的奥氏体逆转变开始温度A 和结束温度Af升高,随着辐照注量的增加有增大的趋势,且奥氏体转变滞后也有所增大;R相转变开始点Rs和转变结束点Rf略有增加.XRD结果表明电子辐照造成了R相点阵畸变,随辐照注量的增加有增大的趋势.这一变化被认为是辐照引入的点缺陷导致了R相稳定化,并且部分缺陷钉扎了R相界面造成的.这一结果为记忆合金相变点的调节提供了新方法.

关键词: 电子辐照 , 形状记忆合金 , R相变

电子辐照对CuZnAl形状记忆合金相变温度的影响

刘丽娟 , 祖小涛 , 沈保罗 , 卢铁城 , 林理彬 , 霍永忠

中国有色金属学报

用能量1.7MeV不同注量的电子辐照CuZnAl形状记忆合金样品, 辐照在母相进行. DSC实验结果表明, 辐照前后样品的相变温度As从339K升高到347K, Ms从330K升高到340K, As-Ms从4K升高到7K. XRD分析结果表明辐照导致两组成对晶面间距差(Δd)增大, 证明辐照促进了有序化. 相变温度的变化是由于电子辐照产生的点缺陷造成了马氏体相点阵畸变和有序度的变化, 从而产生马氏体稳定化.

关键词: 电子辐照 , 形状记忆合金 , 点缺陷 , 马氏体相变 , 马氏体稳定化

离子注入制备纳米晶研究进展

封向东 , 王治国 , 祖小涛 , 霍永忠 , 林理彬

材料导报

离子注入技术是一种在材料近表面形成埋层纳米晶的一种非常有效的方法.纳米晶的出现使得基体材料具有特殊的物理性质.综述了近几年来利用离子注入技术形成的金属、半导体、磁性材料纳米晶的发展情况及其潜在的应用,并提出了现存的问题.

关键词: 离子注入 , 金属纳米晶 , 半导体纳米晶 , 磁性材料纳米晶

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