李维学
,
张凯
,
戴剑锋
,
梁军
,
霍晓迪
航空材料学报
doi:10.3969/j.issn.1005-5053.2013.3.009
采用阴极液相等离子体电解沉积技术(PED)在TA2钛合金表面一步制备了含石墨的Al2O3陶瓷沉积层.利用SEM和XRD对沉积层的结构和成分进行了表征,并探讨了沉积层的形成过程和机理.用摩擦试验机评价了沉积层的摩擦磨损性能.结果表明,通过在电解液中添加适量的石墨,利用PED技术可在TA2钛合金表面制备由α-Al2O3、γ-Al2O3和石墨相组成的复合沉积层.与TA2钛合金以及不含石墨的Al2O3沉积层相比,Al2O3/石墨复合沉积层的摩擦系数显著降低,磨损率随之减小,具有良好的减摩抗磨性能.
关键词:
阴极液相等离子体电解沉积
,
TA2钛合金
,
氧化铝
,
石墨
,
自润滑
霍晓迪
,
陈兵
,
李知勋
,
李淳东
,
刘华锋
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163101.0058
为了改善过孔的干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时解决ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,探究了过孔的不同干法刻蚀工艺对TFT-LCD性能的影响,从中找出最佳的过孔干法刻蚀工艺.利用京东方产线设备制备了两种不同的LTPS阵列样品,样品一的过孔工艺采用传统的底部接触方式,样品二采用新的侧面接触方式,样品一和样品二其余的工艺过程一致.实验结果表明:多点的U-I曲线由发散变为集聚,电子迁移率有所提高;SEM数据表明采用侧面接触方式能够完全将P-Si刻穿.采用侧面接触方式能够明显的解决干法刻蚀中刻蚀率的不同导致SD线和P-Si接触面积不一致的问题,同时避免了ELA工艺导致P-Si表面突起而造成SD与P-Si点状接触的问题,电学性能有所改善,同时减少了工艺时间,提高了产能.
关键词:
干法刻蚀
,
侧面接触方式
,
过孔
,
液晶面板
,
低温多晶硅技术
