阮青锋
,
霍汉德
,
覃西杰
,
卢福华
,
周卫宁
,
张昌龙
,
邱志惠
,
雷威
,
张良钜
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.039
本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体.提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量.//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中.
关键词:
磷酸钛氧钾
,
KTP晶体
,
水热法
,
晶体形态
,
宏观缺陷
阮青锋
,
邱志惠
,
张良钜
,
雷威
,
曾伟来
人工晶体学报
采用温差水热法,以分析纯的Al(OH)3和BeO以及无色纯净的石英为原材料,球形和//s(1121)的片状无色绿柱石为籽晶,在复杂的盐酸混合溶液中生长了无色透明的绿柱石晶体.利用双圈反射测角仪、电子探针、X射线衍射仪和红外光谱仪等仪器,对合成绿柱石晶体的形态、成分及晶体结构进行了详细的研究.结果表明,合成的绿柱石晶体为六方短柱状,主要发育平行双面c{0001}、六方柱m{1010}、a{1120}和六方双锥p{1011}四种单形.合成的绿柱石晶体的成分中(Na2O+ K2O)的质量分数约为0.59%,且c0/a0值为0.9988,可归属于"正常"绿柱石向"四面体"绿柱石的过渡范畴.在中性或弱碱性环境体系中,通过调整绿柱石中各成分的百分含量,有望在更低的温度、压力条件下合成出高质量的板柱状绿柱石晶体.
关键词:
绿柱石
,
晶体生长
,
水热法
,
晶体形态
,
晶体结构
邹静燕
,
金笑丛
,
袁旦
,
屠彦
,
雷威
,
张晓兵
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.01.012
在单片LCoS显示器件实现时序彩色显示的基础上,分析了如何在单片LCoS显示器件上实现四基色显示;采用三基色到四基色转换的一种矩阵转换算法,提出了通过该算法在现有的硬件基础上实现三基色到四基色转换的方法;并列出了一组由VHDL硬件语言模拟得到的转化结果的数据,来证实能在硬件上转化的正确性;提出了采用功能更强大的可编程逻辑器件EP1C20F400C6,来提高三基色到四基色转换的速度和精度.
关键词:
LCoS
,
四基色
,
色域
,
时序彩色
顾伟
,
雷威
,
张晓兵
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.04.008
分析了场发射显示器(FED)中玻璃基板在大气压力下的形变和应力与玻璃基板厚度的关系,得到基板形变和应力随着其厚度的减少而急剧增大.通过研究玻璃基板表面粗糙度及其形变对于器件内部场强及碳纳米管发射电流密度的影响,得出为了保证95 %以上的发射电流均匀度,低压型和高压型FED的阴极基板表面粗糙度均应在1 μm以内,而阳极基板最大形变分别不超过10 μm和40 μm.在上述研究的基础上,提出了双层基板结构,其引入改善了FED内表面的粗糙度,同时使得12.7 cm(5 in)以下尺寸的FED屏中取消了支撑.文中还讨论了对于大尺寸屏幕的支撑配置方法.分析结果表明,双层基板结构对于改善发射均匀性和优化支撑体配置具有良好效果.
关键词:
场发射显示器
,
双层基板
,
发射均匀性
,
支撑
邱超
,
张晓兵
,
雷威
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.06.015
论述了一种用于主动阵列显示(如硅基液晶)的电容阵列充放电电路的降低功耗的方法,我们称之为动态基准电平斜波充放电法.这种方法利用一行电容上电平的分布特性,将一行的电容连通相互充放电,达到静电平衡,得到行平均电容.以行平均电容为基准电平,对输入信号高于行平均电平的像素进行充电,而对输入信号低于行平均电平的像素进行放电,使之达到输入信号的电平.经过计算,这种方法与一般的斜波充放电方法相比可以降低70%以上的电容充放电损耗.在头盔显示器中,由于对功耗有严格的限制,因此在头盔系统的硅基液晶显示器中采用本文所讨论的驱动方法,对于降低功耗、提高系统集成度具有重要意义.
关键词:
主动矩阵显示
,
电容阵列充放电
,
低功耗设计
,
动态基准电平斜波充放电
