雷天民
,
胡永红
,
李红生
,
李留臣
,
封先锋
,
刘守智
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.03.022
以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜,并用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等分析手段对样品进行了表征.XRD分析结果表明样品为斜方晶体结构的多晶SnS薄膜.SEM观察结果显示薄膜表面呈竹叶状多孔形貌,此结构有利于增加太阳电池的光吸收.
关键词:
多孔
,
SnS
,
薄膜
,
化学浴
,
太阳电池
雷天民
,
吴胜宝
,
张玉明
,
刘佳佳
,
姜海青
,
张志勇
稀有金属
为了研究单层MoS2中的空位缺陷形成及其对电子结构的影响,基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了单层MoS2中Mo空位和S空位的形成能、空位附近的晶格畸变、MoS2层中的电子分布以及态密度(DOS)和能带结构.计算结果显示,2种空位缺陷都具有点缺陷特征,其附近的电子分布呈现出明显的局域化特点,且S空位比Mo空位更容易形成.通过与本征态MoS2电子结构的对比分析,发现2种空位缺陷的存在对单层MoS2的电子结构、尤其是对导带高能量区域的能态密度会产生十分明显的影响,这些影响可能与空位缺陷引入的缺陷能级有关.
关键词:
第一性原理
,
MoS2
,
空位
,
电子结构
雷天民
,
吴胜宝
,
张玉明
,
刘佳佳
,
郭辉
,
张志勇
稀有金属材料与工程
基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法计算和分析了单层MoS2的电子结构及其光学性质,得到了单层MoS2的能带结构、电子态密度、光吸收谱、反射谱、能量损失谱、光学常数谱和介电函数谱.计算结果显示:单层MoS2具有直接带隙能带结构,禁带宽度为1.726 eV;同时发现,单层MoS2对可见到紫外区域的光子具有很强的吸收,最大吸收系数为1.98×105 cm-1.分析表明,单层MoS2适合被用于制作微电子和光电子器件,尤其是在紫外探测器应用方面具有潜在的应用前景.
关键词:
第一性原理
,
MoS2
,
电子结构
,
光学性质
李红生
,
雷天民
,
冯谦
,
郑春蕊
,
葛莉玲
,
刘守智
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.026
本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15～25nm.论文还简要讨论了超声波对SnS纳米粉形成的影响,分析认为超声辅助手段的加入有利于多晶SnS纳米粉的形成.
关键词:
多晶SnS
,
纳米粉
,
超声
,
液相合成
陈多金
,
雷天民
,
卢刚
稀有金属材料与工程
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.
关键词:
SILAR法
,
Bi2Se3-Sb2Se3
,
薄膜
,
表征
陈多金
,
雷天民
,
卢刚
稀有金属材料与工程
采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,分别用含有Se2-,Bi3+和Sb3+的离子溶液作为独立的阴、阳离子前驱溶液,以载玻片为衬底,在室温下沉积出致密且具有镜面金属光泽的Bi2Se3-Sb2Se3薄膜材料.为了改善薄膜样品的结晶状态,对其进行了退火处理.用AFM观察了薄膜样品的表面形貌,用XRD分析了退火前后薄膜样品的结晶状态.结果表明:薄膜样品经200℃较低温度下退火处理4 h以后,薄膜的结晶状态由无定形态转化为多晶态,其平均晶粒尺寸为30 nm～40 nm.
关键词:
SILAR法
,
Bi2Se3-Sb2Se3
,
薄膜
,
表征
