雒向东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.03.018
采用反应磁控溅射工艺通过改变N<,2气流量比在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征.结果表明:TiN薄膜的溅射模式与分形维数D<,f>值的演化存在相关性.当N<,2气流量比由O.0%增加至4.0%时,TiN薄膜的溅射方式属于金属模式,D<,f>保持不变;当N<,2气流量比继续增加至10.0%时,薄膜溅射方式转变为过渡模式,此时D<,f>急剧减小;而当N<,2气流量比超过10.0%以后,薄膜溅射模式改变为氮化物模式,相应的D<,f>轻微增加.
关键词:
材料
,
表面形貌
,
分形理论
,
薄膜
赵海阔
,
雒向东
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2009.01.018
采用磁控溅射方法在Si(111)基底上沉积不同调制周期的Cu/TaN多层膜,用X射线衍射仪(XRD)与原子力显微镜(AFM)表征薄膜微结构与表面形貌,研究了不同调制周期L薄膜的微结构与表面形貌.结果表明:不同L的TaN调制层均为非晶结构,多晶Cu调制层的晶粒取向组成随着L改变而变化; Cu调制层的表面粗糙度Rrms.大于TaN调制层的Rrms;与Cu单层膜相比,最外层为Cu调制层的Cu/TaN多层膜的Rrms较小;与TaN单层膜相比,最外层为TaN调制层的Cu/TaN多层膜的/Rrms较大;随着L增加,多层膜与对应的单层膜之间的兄Rrms差值逐渐减小.
关键词:
光电子学
,
Cu/TaN
,
多层膜
,
调制周期
,
表面形貌
