张德贤
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薛颖
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蔡宏琨
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陶科
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姜元建
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赵敬芳
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王林申
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隋妍萍
人工晶体学报
量子效率是太阳电池对光的吸收能力的评定标准之一.本文通过对柔性衬底倒结构n-I-p非晶硅薄膜太阳电池量子效率的测量,同时结合本征材料吸收特性,讨论了衬底温度和反应压强对太阳电池量子效率的影响.结果表明:本征非晶硅薄膜的吸收特性是影响太阳电池量子效率的主要因素,同时光生载流子在本征层和界面处的复合也会对太阳电池的量子效率有所影响.经过反应条件优化得到了转换效率为5.67%的聚酰亚胺衬底太阳电池.
关键词:
柔性衬底
,
n-i-p太阳电池
,
量子效率
,
非晶硅薄膜
王锦
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陶科
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李国峰
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梁科
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蔡宏琨
无机材料学报
doi:10.15541/jim20160247
采用反应型热化学气相沉积系统在硅(100)衬底上外延生长富锗硅锗薄膜.四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体.通过设计表面反应,在低温条件下(350℃)制备了高质量的富锗硅锗薄膜.研究了氢退火对低温硅锗外延薄膜微结构和电学性能的影响.结果发现退火温度高于700℃时,外延薄膜的表面形貌随着退火温度的升高迅速恶化.当退火温度为650℃时,获得了最佳的退火效果.在该退火条件下,外延薄膜的螺旋位错密度从3.7×106 cma下降到4.3×105 cm-2,表面粗糙度从1.27 nm下降到1.18 nm,而外延薄膜的结晶质量也有效提高.霍尔效应测试表明,经退火处理的样品载流子迁移率明显提高.这些结果表明,经过氢退火处理后,反应型热化学气相沉积制备的低温硅锗外延薄膜可以获得与高温下硅锗外延薄膜相比拟的性能.
关键词:
硅锗薄膜
,
低温外延
,
氢退火
,
螺旋位错
