刘春海
,
罗宏
,
金永中
,
宋忠孝
,
陈顺礼
,
汪渊
,
安竹
,
刘明
稀有金属材料与工程
提出了一种梯度氮化法制备出低阻、高稳定性的a-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层.该方法有效地避免了异质元素的引入和高N含量导致的高电阻率.用四点探针(FPP)、X射线衍射(XRD)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)进行薄膜电性能和结构的表征.分析结果表明,梯度氮化工艺能调控金属Ta膜的相结构和金属Ta中的N原子浓度,从而获得低阻a-Ta(N)/TaN双层Cu扩散阻挡层结构.600℃高温老化退火的实验结果进一步证明此结构具有高的热稳定性.
关键词:
扩散阻挡层
,
电阻率
,
热稳定性
,
微结构
张立东
,
王飞
,
陈顺礼
,
汪渊
金属学报
doi:10.3724/SP.J.1037.2013.00207
通过多靶共溅射的方法,制备了(AlCrTaTiNi)N和双层AlCrTaTiNi/(AlCrTaTiNi)N扩散阻挡层,并利用XRD,EDS和SEM研究了其组织结构、相组成及在高温下的热稳定性能.结果表明,Cu/(AlCrTaTiNi)N/Si经500℃退火后界面处已有脱开倾向,700℃后Cu膜则完全脱落.AlCrTaTiNi可增强Cu和(AlCrTaTiNi)N的粘附性.AlCrTaTiNi/(AlCrTaTiNi)N经800℃退火后仍能起到有效的扩散阻挡性能,900℃下出现了深能级的Cu-Si相,方块电阻急剧升高,表明该阻挡层失效.
关键词:
高熵合金
,
双层扩散阻挡层
,
热稳定性
张伟
,
陈顺礼
,
汪渊
功能材料
利用射频（RF）磁控溅射在玻璃基片上共溅射沉积Cu-Sn预制膜。采用固态硒化法,制备Cu/Sn化学计量比在1.87～2.22之间的Cu2SnSe3薄膜。研究了Cu/Sn比率对Cu2SnSe3薄膜的晶体结构、微结构、光学性能以及电学性能的影响。X射线衍射（XRD）结果表明,所制备的Cu2SnSe3薄膜为立方晶体结构,具有（111）择优取向;贫铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而增大;富铜的Cu2SnSe3薄膜光学带隙Eg随着Cu/Sn比率增大而不变。薄膜电阻率为1.67～4.62mΩ.cm。
关键词:
Cu2SnSe3薄膜
,
Cu/Sn比率
,
硒化
,
物理性质
