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硅表面纳米图案化制作技术的研究进展

陈长春 , 余本海 , 刘江锋 , 王林

材料导报

Si材料表面形成纳米化图案是制作新型硅基纳米电子器件、光电子器件等的基础和前提.根据不同需要,在纳米图案化Si衬底表面淀积不同功能纳米材料则能将成熟Si平面工艺技术的优势与纳米材料的新功能优势结合起来而制作出性能优良的Si基纳电子和光电子器件.介绍了具有纳米图案化表面Si材料在晶格失配较大Ⅲ-Ⅴ族材料外延制备上的应用,综述了各种Si衬底材料表面纳米图案化制作技术.

关键词: 硅材料 , 制备技术 , 纳米图案化

含二氧化钛的有机硅耐磨透明涂料的制备及性能研究

彭瑞迈 , 陈长春

涂料工业 doi:10.3969/j.issn.0253-4312.2010.08.010

采用溶胶-凝胶法,将钛酸酯、正硅酸乙酯和硅烷偶联剂(KH-560)进行共水解,经涂覆、固化,制备了含二氧化钛的耐磨透明膜层材料,通过各种方法对该涂料和膜层的光学和机械性能进行了分析表征.结果表明:所得复合耐磨透明膜层材料在可见光范围内的透过率均在90%以上,具有较好的耐热性,并且膜层与基材的附着性好,铅笔硬度达到6H.

关键词: 有机硅 , 溶胶-凝胶 , 耐磨涂层 , 杂化薄膜

亚45 nm技术节点平面式硅基CMOS电路制作的材料选择

陈长春 , 刘江锋 , 余本海 , 涂有超 , 戴启润

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.01.024

随着45 nm技术的临近,减小单个晶体管尺寸以提高晶体管集成度的方法逐渐达到物理极限.传统掺杂多晶硅/二氧化硅栅结构因硼杂质扩散穿透、多晶硅耗尽和电子隧穿等效应使深亚微米器件的性能退化.此外,沟道载流子迁移率退化也阻碍Si基MOS性能的提升.因此,需采用高k介质、金属栅和应变硅等新材料、新技术以改善Si基MOS管性能.本文在介绍这3种新材料优势的同时,分析了适合未来平面式硅基CMOS技术中的高介电常数材料和金属栅材料的种类,指出了未来电路中新材料的进一步发展方向.

关键词: 高介电常数材料 , 应变硅 , 金属栅极

阻燃半硬质LDPE/EVA泡沫塑料的研究

陈长春 , 吴人洁 , 林德宽

高分子材料科学与工程

研究了添加型卤素阻燃剂、Sb2O3、Al(OH)3复合体系对LDPE/EVA共混发泡体系的阻燃性能,并对制品结构与性能影响较大的因素进行了研究分析和讨论.实验结果表明,采用上述阻燃剂的复合体系对LDPE/EVA发泡体系有良好的阻燃效果.制备出了氧指数为35.5%,垂直燃烧性能达到UL94V-0级的LDPE/EVA泡沫塑料.

关键词: 低压聚乙烯 , 乙烯-醋酸乙烯共聚物 , 泡沫塑料 , 阻燃 , 共混

纳米氧化锌制备所需碱式碳酸锌的实验研究

刘萍 , 陈长春 , 陆春华

材料导报

以碳酸铵和硝酸锌为原料对碱式碳酸锌前驱体的合成实验进行了分析研究.实验发现,碳酸铵与硝酸锌的物质的量比是碱式碳酸锌合成中影响碱式碳酸锌收率的主要因素,当物质的量比为1.5时碱式碳酸锌的收率最高.X射线衍射(XRD)、热分析(DSC-TG)和扫描电子显微镜(SEM)对实验样品的测试表明,所得碱式碳酸锌前驱体的主要存在形式为Zn4CO3(OH)6·H2O,其煅烧产物为晶粒尺寸在20~50nm之间的六方ZnO纳米粒子,粒子呈近球形,分散性好.

关键词: 碱式碳酸锌 , 氧化锌 , 正交实验

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