陈洪建
,
张维连
,
陈贵峰
,
李养贤
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.z1.020
目前异质外延技术能够得到较高质量的氮化镓(GaN)薄膜,衬底普遍采用蓝宝石、碳化硅以及硅等.各种技术包括缓冲层、外延横向生长技术、悬挂外延技术等是目前最重要的制备氮化镓技术.氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓衬底最有希望的方法之一.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了氮化镓体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延原理,分析了HVPE制备自支撑(FS)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展.
关键词:
氮化镓(GaN)
,
氢化物汽相外延(HVPE)
,
金属有机化学气相沉积(MOCVD)
,
自支撑氮化镓(FS GaN)
