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不锈钢衬底MgB2厚膜韧性的研究

陈莉萍 , 丁莉莉 , 庄承钢 , 张开诚 , 陈晋平 , 徐军 , 安玲 , 闫昌硕 , 熊光成 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.01.007

我们用混和物理化学气相沉积法(HPCVD)在不锈钢衬底上原位制备了以MgB2厚膜(约10微米厚)为过渡层的MgB2超导厚膜(约20微米厚)样品,两层膜总厚约30微米.X光衍射实验表明过渡层为(101)取向的织构膜,表层MgB2超导厚膜接近多晶膜,但有较强(101)取向,两者均含有少量的Mg和MgO杂相.此超导厚膜样品的Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.6K,ΔT=1.2K.对此样品的弯曲实验表明,以曲率半径500微米弯曲到180°后,样品仍具有Tc(onset)=37.8K,Tc(zero)=36.4K的超导电性.样品剖面SEM观测表明该膜结构致密,表面厚膜层和过渡层之间连接紧密.样品表面的SEM观测表明虽然样品弯曲导致表面MgB2超导厚膜面出现了裂缝,甚至有小部分膜面的脱落,但过渡层始终紧紧附着在不锈钢衬底上.这表明过渡层MgB2厚膜的存在大大地提高样品整体的柔韧性,展现了不锈钢衬底上的MgB2厚膜超导带(线)巨大的开发潜力和诱人的广阔应用前景.

关键词: 混合物理化学气相沉积(HPCVD) , MgB2超导厚膜 , 过渡层 , 不锈钢衬底 , 韧度

混合物理化学气相沉积法制备Al2O3衬底MgB2薄膜性质的研究

丁莉莉 , 姚丹 , 陈莉萍 , 庄承钢 , 张开诚 , 陈晋平 , 熊光成 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.z1.101

我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid Physical-Chemical Vapor Deposition简称为HPCVD)法在Al2O3(00l)衬底上原位制备了MgB2超导薄膜样品.样品厚度约为1μm左右,最高的超导起始转变温度Tc(onset)=40.3K,转变宽度ΔT为0.3K.ρ50K=2.3μΩcm,剩余电阻比率RRR=R300K/R50K=10.样品的X射线衍射分析表明,MgB2薄膜具有较好的c轴取向,晶粒大小约200nm.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度Jc=7.6×106A/cm2,不同磁场下测得R~T曲线可以外推得到Hc2(0K)约10T.这些结果表明HPCVD技术在MgB2薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB2薄膜在电子器件方面的应用.

关键词: MgB2薄膜 , X-光衍射图 , SEM图 , R~T曲线 , M~H曲线

混合物理化学气相沉积法制备不锈钢衬底MgB2超导厚膜样品的韧度研究

庄承钢 , 安玲 , 陈莉萍 , 丁莉莉 , 张开诚 , 陈晋平 , 徐军 , 冯庆荣 , 甘子钊

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2005.02.002

我们用混合物理化学气相沉积法(HPCVD)制备了一批不锈钢衬底的MgB2超导厚膜样品,厚度在10~30μm间,Tc(onset)是37.8~37.2K,超导转变宽度ΔT在1.2K左右,是(101)方向织构的致密厚膜,并有少许MgO杂相.对样品进行弯折研究,随着弯曲角度的增加,膜面出现不同程度的条状裂纹,但仍能保持膜面的基本完整;虽然样品的超导起始转变温度降低、转变温区变宽,性能有所下降,但超导特性仍能保持在一个很好的水平上.这个结果表明了采用HPCVD方法制备不锈钢衬底带材将会很好地克服MgB2超导膜由于硬脆的性质而无法绕制磁体的问题,有着十分重要的应用意义.

关键词: 混合物理化学气相沉积(HPCVD),MgB2超导厚膜,不锈钢衬底,韧度

Al2O3衬底上生长的40.2K转变温度的MgB2厚膜

张开成 , 丁莉莉 , 庄承钢 , 陈莉萍 , 陈晋平 , 冯庆荣

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.023

我们采用混合物理化学气象沉积方法(简称HPCVD)方法在(0001)晶向的Al 2O 3衬底上成功的沉积了1.3微米厚的MgB 2超导厚膜.电性测量表明这种厚膜具有40.2 K的超导转变温度,转变宽度为0.15 K,绝对零度时 H c 2(0)为13.7 T,同时剩余电阻率达到RRR = 11.磁性测量表明这种厚膜在5 K和零场的条件下具有5×10 6A/cm 3的高临界电流密度.

关键词: MgB2超导厚膜 , R~T曲线 , SEM图 , M~T曲线

热处理中Pr0.5Sr0.5MnO3薄膜的电学性能变化和应力弛豫

李淼 , 陈莉萍

低温物理学报

我们用脉冲激光法在(001) LaAlO3衬底上制备了Pr0.5Sr0.5MnO3薄膜,在900℃的空气中进行后退火处理,研究了退火前后薄膜的电磁性能和晶格结构变化.随着温度降低原位生长薄膜在低温段电阻率迅速上升,表现为绝缘体性质.磁化强度-温度曲线表明薄膜具有顺磁-铁磁-反铁磁的相变,并且存在相分离现象.相比之下,退火后薄膜随着温度降低只出现了顺磁绝缘体-铁磁金属相变,在低温区域一直表现为铁磁金属性.x光衍射实验发现退火使得薄膜在垂直于衬底表面方向的晶格伸长量明显减小,表明退火过程中发生了应力弛豫.为了搞清楚后退火中氧含量和应力弛豫的不同作用,我们进行了(110) SrTiO3衬底上Pr0.5 Sr0.5MnO3薄膜的后退火对比实验,结果表明退火中的应力弛豫是导致退火前后薄膜电磁性质差异的主要原因.

关键词: 退火处理 , 锰氧化物薄膜 , 应力 , 电学性能

混合物理化学气相沉积法制备蓝宝石衬底外延MgB2薄膜性质的研究

丁莉莉 , 陈莉萍 , 李芬 , 冯庆荣 , 熊光成

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2006.02.003

我们用混合物理化学气相沉积(Hybrid physical-chemical vapor deposition简称为HPCVD)法在α-Al 2O 3(00l)衬底上原位制备了一批超导性能良好的外延MgB 2超导薄膜样品.用10%浓度的乙硼烷(B 2H 6)氢气混合气作为原料,研究了不同条件对MgB 2薄膜沉积速率的影响.在一定条件下制备了一批MgB 2薄膜,厚度为200nm左右,样品的零电阻转变温度( T c 0)最高达到39K.X射线衍射分析的θ~2 θ扫描表明, MgB 2薄膜的晶粒都具有较好的 C 轴取向,对样品的(101)面Φ扫描结果显示MgB 2薄膜晶格与衬底有很好的外延取向,取向关系为[1010] MgB 2∥[1120] Al 2O 3.由毕恩模型计算求得在5K和零场条件下,样品的临界电流密度 J c =9.8×10 6A/cm 2.这些结果表明HPCVD技术在MgB 2外延薄膜原位制备方面有着很大的优势,从而有利于实现MgB 2薄膜在电子器件方面的应用.

关键词: MgB2薄膜 , X射线衍射图 , SEM图 , R~T曲线 , M~H曲线

亚麻/聚丙烯复合材料的成型工艺和拉伸性能研究

崔萍 , 楚晓 , 艾宏玲 , 陈莉萍

玻璃钢/复合材料 doi:10.3969/j.issn.1003-0999.2010.02.012

本文探讨了亚麻/聚丙烯纤维复合材料的制备工艺和拉伸性能.对亚麻纤维含量分别为30%、40%、50%、60%、70%的复合材料进行比较,分析增强纤维含量对复合材料拉伸性能的影响;对模压温度分别为150℃、160℃、170℃、180℃、190℃的复合材料进行比较,分析模压温度对复合材料拉伸性能的影响,最后确定模压温度及亚麻/聚丙烯纤维的混合比.

关键词: 亚麻/聚丙烯纤维 , 复合材料 , 拉伸性能 , 模压温度 , 混合比

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