陈贵楚
,
范广涵
,
陈练辉
,
刘鲁
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.05.018
鉴于双异质结发光二极管(DH-LED)限制层的Al组分的不确定性,本文通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了Al组分确定为一个最合适的取值时,有源层中的载流子应有一个最大数量的复合,此时LED的复合效率最高、发光最强.这个最佳A1组分的确认,对于器件结构设计以及相关的MOCVD材料生长有指导意义.
关键词:
AlGaInP
,
LED
,
Al组分
陈练辉
,
范广涵
,
孟耀勇
,
刘桂强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2004.06.029
利用LP-MOCVD生长了不同周期的AIGaInP/GaInP MQW样品,并测量了它们的拉曼光谱.由于样品包括了掺杂的电流扩展层和欧姆接触层以及上、下限制层,拉曼光谱中观察到了与掺杂有关的耦合电子(空穴)气-纵光学声子模.根据喇曼光谱的选择定则,结合光致发光谱,发现A1P-LO/TO的相对强度比可以评定晶体AlGaInP MQW的生长质量.
关键词:
光电子学
,
AlGaInP/GaInP MQW
,
拉曼光谱
,
耦合电子(空穴)气-纵光学声子模
吴文光
,
范广涵
,
陈贵楚
,
李华兵
,
陈练辉
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.024
通过分析量子级联激光器(QCL)中的电子在量子阱输运的单极行为,得到它的速率方程,以此为基础建立起它的等效电路模型,利用PSPICE进行电路模拟,得到了它的频率响应特性,并对可能影响它的调制特性的一些因素进行了分析.
关键词:
激光技术
,
量子级联激光器
,
电路模型
,
频率响应
李华兵
,
范广涵
,
陈练辉
,
吴文光
,
熊予莹
,
刘颂豪
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2005.03.026
在修正的随机元素等位移-MREI模型的基础上建立了一个新模型,计算了AB1-xCx型Ⅲ-Ⅴ族半导体混晶的长波长光学声子模频率的组分变化关系.模型中假设次邻力常数远小于近邻力常数,同时,运用离子晶体结合的重叠排斥能,估算出两个近邻力常数随组分x呈负幂指数变化,而非常规的线性变化.最后比较了AsAl1-xGax、GaP1-xAsx和SbAl1-xGax三种混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好.
关键词:
光电子学
,
Ⅲ-Ⅴ族混晶
,
MREI
,
光学声子
,
近邻力常数
