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ABS及其复合材料的热性能研究

唐昌伟 , 李庆蛟 , 王标兵 , 傅轶 , 彭志宏 , 李小辉 , 陈红兵 , 刘志平

合成材料老化与应用

通过熔融共混法制备了ABS、ABS/MH(氢氧化镁)及ABS/MH/BPS(溴化聚苯乙烯)/ Sb2 O3(氧化锑)阻燃复合材料。使用扫描电子显微镜( SEM)观察了燃烧样条的表面形貌,利用热重分析法( TG)研究了不同升温速率下复合材料的热降解过程,分析了其阻燃机理。结果表明:MH可以增加体系的热稳定性,而加入BPS/Sb2 O3会使热稳定性降低;MH和BPS/Sb2 O3共同阻燃时,Br-Sb阻燃体系占主导地位,在气相中发挥阻燃效果,MH则在凝聚相起辅助作用,产生物理隔绝和阻止熔融流动的效果。

关键词: ABS , 阻燃 , 热性能

坩埚下降法生长钨酸镉闪烁单晶的晶体缺陷

陈红兵 , 沈琦 , 方奇术 , 肖华平 , 王苏静 , 梁哲 , 蒋成勇

人工晶体学报

采用坩埚下降法生长出大尺寸CdWO4单晶,通过光学显微镜、电子探针观察分析了所获CdWO4单晶的典型晶体缺陷,包括晶体开裂、丝状包裹物和晶体黑化.结果表明,CdWO4单晶存在显著的解理特性,常出现因热应力导致的沿(010)解理面的晶体开裂;当采用富镉多晶料进行单晶生长时,所获单晶棒的下部常出现沿轴向分布的丝状包裹物,电子探针分析证实这种丝状包裹物是熔体内过量CdO沉积所致;在氮气氛中进行高温退火处理,CdWO4单晶还会出现黑化现象.

关键词: 钨酸镉 , 晶体生长 , 坩埚下降法 , 晶体缺陷

碘化钾单晶的非真空密闭坩埚下降法生长

王苏静 , 陈红兵 , 方奇术 , 徐方 , 梁哲 , 蒋成勇 , 杨培志

人工晶体学报

本文报道了KI单晶在非真空密闭条件下的坩埚下降法生长.以经充分干燥的高纯KI多晶为原料,将KI多晶料密封于套层铂坩埚中,添加少量活性碳粉末,可避免碘化物熔体的氧化与挥发,从而在非真空条件下实现KI单晶的坩埚下降法生长.在晶体生长过程中,炉体温度调节于750~770 ℃,固液界面温度梯度为30~40 ℃/cm,坩埚下降速率控制为1~2 mm/h,成功生长出尺寸为φ25 mm×50 mm的透明完整KI单晶.采用XRD、DTA-TG、透射光谱、荧光光谱对所获KI单晶进行了测试表征,结果表明该单晶具有良好的光学均匀性,在450~2500 nm波长范围的光学透过率达70%以上,其光学吸收边位于280 nm左右;在266 nm脉冲光激发下,该单晶具有397 nm峰值波长的荧光发射.

关键词: 碘化钾单晶 , 坩埚下降法 , 光谱性质

PIMNT单晶生长用多晶料的固相合成

柯毅阳 , 梁哲 , 沈琦 , 罗来慧 , 董友仁 , 潘建国 , 陈红兵

人工晶体学报

以In2O3、Nb2O5、4MgCO3·Mg(OH)2·4H2O、TiO2、PbO为初始试剂,先合成出前体化合物MgNb2O6和InNbO4;按照0.25Pb( In1/2 Nb1/2) O3-0.44Pb( Mg1/2 Nbv3)O3-0.31PbTiO3的组分比例,添加1.5 mol%过量PbO,通过高温固相反应合成出PIMNT多晶料.X射线粉末衍射、差热/热重分析表明,PIMNT多晶系钙钛矿结构的固溶体化合物.采用本实验合成PIMNT多晶料锭,通过坩埚下降法成功生长出25mm直径的PIMNT单晶,证实采用预先合成多晶料有助于钙钛矿相PIMNT单晶的稳定生长.

关键词: PIMNT , 多晶料 , 固相合成 , 单晶生长

Er3+掺杂弛豫铁电材料PMNT的单晶生长与性能表征

向军涛 , 杜鹏 , 罗来慧 , 方义权 , 赵学洋 , 胡旭波 , 陈红兵

无机材料学报 doi:10.15541/jim20140278

按照0.71 Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26PbTiO3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被掺杂进入钙钛矿相铁电体晶格;测试了Er3+掺杂PMNT晶片的介电、压电与铁电性能以及上转换发光性能.结果表明,Er3+掺杂PMNT晶体呈现跟三方相纯PMNT晶体相近的介电、压电与铁电性能;在980 nm激发光作用下,该掺杂晶体呈现出Er3+离子特有的较强上转换荧光发射,并且极化后掺杂晶体的上转换发光强度得到增强.

关键词: Er3+掺杂PMNT晶体 , 单晶生长 , 坩埚下降法 , 电学性能 , 上转换发光

钨酸镉单晶的提拉法生长

张敬富 , 潘金根 , 娄丙谦 , 潘建国 , 陈红兵

人工晶体学报

采用液相合成法制备出了CdWO4多晶料.研究了反应溶液pH对原料纯度的影响,探索出满足晶体生长用原料的最佳制备条件.利用提拉法生长出尺寸为φ15 mm×60 mm的透明、接近无色的钨酸镉单晶.透光性及发光性等单晶性能测试表明,CdWO4单晶在可见光区域的透过率达70%左右,吸收边位于315 nm,荧光发射峰位于473.8 nm,即本征发光由蓝光组成.

关键词: 闪烁晶体 , CdWO4 , 提拉法

官能化聚烯烃弹性体增韧PA1010体系Ⅱ.结晶行为的研究

陈红兵 , 张伟广 , 杨秉新 , 张皓瑜

高分子材料科学与工程

用WAXD、偏光显微镜(PM)及DSC研究了聚烯烃弹性体乙烯-α-烯烃共聚物(EOCP)对PA1010结晶行为的影响.WAXD结果显示纯弹性体(EOCP)和接枝弹性体(EOCP-g-MA)对PA1010的晶型均不产生影响.PM观察则表明共混体系中EOCP与PA1010的相互作用很弱,在PA1010结晶过程中,大部分EOCP被排除在球晶之外;而接枝EOCP与PA1010存在较强的相互作用,大量的EOCP-g-MA作为成核剂,使PA1010球晶向细晶化方向发展,而且随弹性体含量的增多而加强.DSC分析证实了接枝EOCP以异相成核剂的方式促进了PA1010的结晶,尤其是促进了PA1010的高温结晶.

关键词: 乙烯-α-烯烃共聚物 , 接枝 , 尼龙1010 , 结晶行为

LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的制备

陈红兵 , 周昌勇 , 杨培志 , 蒋成勇 , 潘建国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.004

本文报道了LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法.应用差热/热重分析研究了LaCl3·7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaCl3·7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备,通过系列实验掌握了氯化焙烧脱水处理的最佳工艺条件;为验证所制备无水氯化镧的纯度,采用该原料进行了LaCl3:Ce3+单晶生长.结果表明,在氯化焙烧脱水处理过程中,保持通入足量干燥氯化氢气体,控制焙烧温度于220~230℃,经过6~7h焙烧处理,能够制备出较高纯度的无水氯化镧,所获原料可成功地用于生长无色透明的LaCl3:Ce3+单晶.

关键词: 无水氯化镧 , 焙烧 , 脱水 , 晶体生长

钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应

胡旭波 , 赵学洋 , 魏冉 , 王敏刚 , 向军涛 , 陈红兵

人工晶体学报

以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ~ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.

关键词: 钼酸镉 , 单晶生长 , 坩埚下降法 , 光谱性能 , 退火效应

氯化镧单晶的坩埚下降法生长

陈红兵 , 周昌勇 , 杨培志 , 王金浩 , 许伟

中国稀土学报

报道了LaCl3单晶的非真空密闭条件下的坩埚下降法生长方法.依据差热,热重分析所揭示的LaCl3·7H2O脱水过程,采用干燥氯化氢保护下的焙烧脱水处理制备出无水LaCl3原料.将无水LaCl3密封于铂坩埚中,且添加少量活性碳粉,可避免熔体的氧化与挥发,从而实现在非真空条件下的LaCl3单晶生长.在单晶生长过程中,炉体控制温度为940~970℃,固液界面温度梯度为30~40℃·cm-1,坩埚下降速率控制于0.5~1.0 mm·h-1,在非真空密闭条件下成功生长出直径为25 mm的透明LaCl3单晶.综合运用差热/热重分析、X射线衍射、透射光谱、X射线激发发射光谱对所获单晶样品进行了测试表征,表明非真空密闭坩埚下降法适合于生长均匀透明LaCl3单晶.

关键词: LaCl3 , 闪烁晶体 , 脱水处理 , 晶体生长 , 坩埚下降法 , 稀土

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